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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106141901A(43)申请公布日2016.11.23(21)申请号201510199111.4(22)申请日2015.04.23(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号(72)发明人唐强(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅李时云(51)Int.Cl.B24B37/10(2012.01)B24B53/017(2012.01)H01L21/768(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称晶圆表面的铜层的研磨方法(57)摘要本发明提供了一种晶圆表面的铜层的研磨方法,向具有多个同心的环形凹槽的研磨垫注入研磨液时,在不同时间段内选定所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸,利用柠檬酸去除不同位置的环形凹槽内的化学残留物,以去除研磨垫上不同位置所残留的化学残留物,较好的去除研磨垫上残留的化学残留物,避免出现晶圆表面的铜层上刮痕、表面粒子等缺陷,提高了产品的良率。CN106141901ACN106141901A权利要求书1/1页1.一种晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,包括以下步骤:将一表面形成有铜层的晶圆置于研磨头上,所述研磨头施加一定压力使所述晶圆的铜层表面紧压到研磨垫上,所述研磨垫上具有多个同心的环形凹槽;向所述研磨垫注入研磨液,同时选定所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸,以对所述晶圆表面的铜层进行研磨并去除所述研磨垫上的化学残留物。2.如权利要求1所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,在不同时间段内选定所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸,距离所述研磨垫中心位置越远的环形凹槽注入柠檬酸的时间越晚。3.如权利要求1所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,在同一时间段内选定所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸。4.如权利要求1所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,距离所述研磨垫中心位置越远的环形凹槽注入的柠檬酸的浓度越高。5.如权利要求1或2或4所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,在时间为0sec~10sec内,选定距离研磨垫中心的第五个环形凹槽时,注入浓度为20%~25%的柠檬酸。6.如权利要求1或2或4所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,在时间为11sec~20sec内,选定距离研磨垫中心的第七个环形凹槽时,注入浓度为25%~30%的柠檬酸。7.如权利要求1或2或4所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,在时间为21sec~30sec内,选定距离研磨垫中心的第九个环形凹槽时,注入浓度为30%~35%的柠檬酸。8.如权利要求1或2或4所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,在时间为31sec~40sec内,选定距离研磨垫中心的第十一个环形凹槽时,注入浓度为35%~40%的柠檬酸。9.如权利要求1或2或3或4所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,向所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸时,所述研磨头的转速以及承载所述研磨垫的转盘的转速相同。10.如权利要求9所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,所述研磨头的转速为25rpm/min~35rpm/min,承载所述研磨垫的转盘的转速为50rpm/min~65rpm/min。11.如权利要求1或2或3或4所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,向所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸时,所述研磨头施加的压力相同。12.如权利要求11所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,所述研磨头施加的压力为4psi~6psi。13.如权利要求1或2或3或4所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,向所述研磨垫上距离研磨垫中心不同位置的环形凹槽注入柠檬酸时,所述柠檬酸的流量相同。14.如权利要求13所述的晶圆表面的铜层的研磨方法,其特征在于,所述柠檬酸的流量为3.5ml/min~4.5ml/min。2CN106141901A说明书1/4页晶圆表面的铜层的研磨方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种晶圆表面的铜层的研磨方法。背景技术[0002]在半导体制造工艺中,随着半导体器件的高度集成化和小型化,对晶圆表面的平坦化工艺要求也相应越来越高,通常采用化学机械研磨实现对晶圆的平坦化工艺,化学机械研磨也是半导体器件制造过程中十分重要的一道工序,通过研磨液腐蚀晶圆表面的铜层及多余的金属,达到表面平坦化的处理效果。[0003]图1所示为化学机械研磨设备的基本结构的俯视图。该CMP设备主要包括研磨平台(图中未示出)、置于研磨平台上面的