一种晶圆的研磨方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115893303A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211387517.1(22)申请日2022.11.07(71)申请人深圳市尚鼎芯科技有限公司地址518000广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区留新四街万科云城三期C区八栋A座3301房3302房(72)发明人刘道国(74)专利代理机构深圳市知高达专利代理有限公司44869专利代理师刘琴(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种晶圆的研磨方法(57)摘要本发明属于研磨技术领域，尤其是涉及一种晶圆的研磨方法，包括如下步骤：S1.提供晶圆，所述晶圆包括正面以及与正面相对的反面；S2.将晶圆的正面向上放置在研磨装置中，并用研磨液和第一研磨粉对所述晶圆的正面进行研磨；S3.取出晶圆，并在晶圆的正面蚀刻形成沟坑，且沟坑的深度小于晶圆的厚度；S4.对晶圆进行洁净处理；S5.在晶圆的正面上形成保护层；S6.在保护层上覆盖保护胶带。本发明不但可以避免在对晶圆进行研磨时晶圆因强度变弱而产生破裂，而且可以避免在进行BG工艺时保护胶带由于粘性过大将晶圆的正面结构粘连着一起被去除，从而提高了晶圆的良产率。CN115893303ACN115893303A权利要求书1/1页1.一种晶圆的研磨方法，其特征在于：包括如下步骤：S1.提供晶圆(100)，所述晶圆(100)包括正面(110)以及与正面(110)相对的反面(120)；S2.将晶圆(100)的正面(110)向上放置在研磨装置中，并用研磨液和第一研磨粉对所述晶圆(100)的正面(110)进行研磨；S3.取出晶圆(100)，并在晶圆(100)的正面(110)蚀刻形成沟坑(130)，且沟坑(130)的深度小于晶圆(100)的厚度；S4.对晶圆(100)进行洁净处理；S5.在晶圆(100)的正面(110)上形成保护层(140)；S6.在保护层(140)上覆盖保护胶带(150)；S7.翻转晶圆(100)使其反面(120)向上放置在所述研磨装置中，并用研磨液和第二研磨粉对所述晶圆(100)的反面(120)进行粗磨，以使晶圆(100)的厚度薄化；S8.将晶圆(100)放置在研磨装置中，并用研磨液和第三研磨粉对所述晶圆(100)的反面(120)进行细磨；S9.翻转晶圆(100)使其正面(110)向上，去除保护胶带(150)以及保护层(140)；S10.对晶圆(100)进行洁净处理。2.根据权利要求1所述的一种晶圆的研磨方法，其特征在于：所述第二研磨粉的直径大于第三研磨粉的直径，第三研磨粉的直径大于第一研磨粉的直径，其中第一研磨粉的直径为5‑10nm，第二研磨粉的直径为15‑18nm，第三研磨粉的直径为10‑15nm，第一研磨粉、第二研磨粉及第三研磨粉均为金刚石粉。3.根据权利要求1所述的一种晶圆的研磨方法，其特征在于：所述在S2、S7和S8中，保持研磨的时间为4～6min。4.根据权利要求1所述的一种晶圆的研磨方法，其特征在于：所述S3中沟坑(130)的刻蚀工艺为干法刻蚀，深度为50nm‑100nm。5.根据权利要求1所述的一种晶圆的研磨方法，其特征在于：所述S4与S10中对晶圆(100)进行洁净处理的具体步骤为：在将晶圆(100)从研磨装置中取出后，将晶圆(100)放入去离子水中，并用超声波震荡清洗8～12分钟，再将晶圆(100)取出进行烘干操作。6.根据权利要求1所述的一种晶圆的研磨方法，其特征在于：所述S5具体包括：采用CVD在减压下采用HMDS蒸气，在晶圆(100)正面(110)上形成六甲基二硅氧烷层，之后对六甲基二硅氧烷层进行退火处理，在惰性气体环境下，控制退火的温度为180～200℃，持续退火2～3小时，使六甲基二硅氧烷层固化同时，提高六甲基二硅氧烷层的应力以及与晶圆(100)的黏合强度，以形成保护层(140)。7.根据权利要求1所述的一种晶圆的研磨方法，其特征在于：所述S9去除保护层(140)的方法使用湿法清洗工艺，采用有机清洗剂去除保护层(140)，有机清洗剂采用苯酚溶液，苯酚溶液的体积比浓度大于或等于20％，清洗温度为70～90℃，持续清洗3～10分钟。8.根据权利要求1所述的一种晶圆的研磨方法，其特征在于：所述研磨液为碱性研磨液，PH值为9～11，保护层(140)的材料为有机硅材料。2CN115893303A说明书1/4页一种晶圆的研磨方法技术领域[0001]本发明属于研磨技术领域，尤其是涉及一种晶圆的研磨方法。背景技术[0002]MEMS(Micro‑Electro‑MechanicalSystem,微机电系统)是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。MEMS拥有体积小、重量轻、功耗低、耐用