避免边缘长瘤的靶材结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106282940A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201510278546.8(22)申请日2015.05.27(71)申请人宁波江丰电子材料股份有限公司地址315400浙江省宁波市余姚市名邦科技工业园区安山路198号(72)发明人姚力军潘杰相原俊夫大岩一彦王学泽李小萍(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人高静吴敏(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图5页(54)发明名称避免边缘长瘤的靶材结构(57)摘要一种避免边缘长瘤的靶材结构，包括：靶材，包括与带电粒子发生碰撞的溅射面，所述溅射面的尺寸与所述带电粒子束宽相当；背板，用于固定所述靶材。本发明通过使所述溅射面尺寸与所述带电粒子束宽相当，使所述靶材结构的溅射面位于带电粒子撞击密度较大的中心区域，从而提高所述溅射面边缘位置受到溅射的几率，使位于边缘位置的残留物能够在溅射过程中被去除，避免了残留物在溅射过程中脱落损伤基底的可能，从而能够提高半导体器件制造的良品率。CN106282940ACN106282940A权利要求书1/1页1.一种避免边缘长瘤的靶材结构，其特征在于，包括：靶材，包括与带电粒子发生碰撞的溅射面，所述溅射面的尺寸与所述带电粒子束宽相当；背板，用于固定所述靶材。2.如权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述靶材为钛靶。3.如权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述靶材的溅射面为圆形。4.如权利要求3所述的靶材结构，其特征在于，所述溅射面的直径在302.68mm到302.94mm范围内。5.如权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述靶材平行于溅射面的横截面为圆形。6.如权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述靶材还包括垂直于所述溅射面的侧壁，所述侧壁与所述溅射面之间以斜面相连，所述斜面与所述溅射面的连接处与所述侧壁之间的距离在7.87mm到8.13mm范围内。7.如权利要求6所述的靶材结构，其特征在于，所述靶材还包括位于所述侧壁上的凸起，用于固定所述靶材。8.如权利要求7所述的靶材结构，其特征在于，所述背板包括用于容纳所述靶材的凹槽，所述凹槽侧壁具有凹坑，所述凹坑与所述靶材侧壁上的凸起相配合以固定所述靶材。9.如权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述背板为铜背板或铜合金背板。10.如权利要求1所述的靶材结构，其特征在于，所述背板包括用于容纳所述靶材的凹槽。2CN106282940A说明书1/4页避免边缘长瘤的靶材结构技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种避免边缘长瘤的靶材结构。背景技术[0002]在半导体器件的制造工序中，往往需要形成各种膜层。钛由于具有特殊的金属性质，而以金属膜或者合金膜，硅化物膜或氮化物膜等形式应用于大量的电子设备中。通常情况下，形成钛及其钛化物膜的过程中，常采用溅射或真空镀膜等物理蒸镀方法形成。其中最广泛使用的是溅射工艺。[0003]溅射工艺是物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)中的一种，用于在基底表面形成各种功能膜层。具体地，利用带电粒子轰击靶材，经加速的粒子轰击固体表面时，粒子与固体表面原子发生碰撞，产生能量和动量的转移，使靶材表面原子从靶材表面溢出并沉积在基底表面形成膜层。[0004]参考图1至图2，示出了采用钛靶进行溅射沉积氮化钛膜层工艺过程中各个步骤的示意图。需要说明的是，此处以采用钛靶进行溅射沉积氮化钛膜层的过程为例进行说明。[0005]参考图1，在溅射初期，钛靶10暴露在氮气11的气氛中。在氮气11环境中，钛靶10表面会形成厚度很小的氮化钛层12。[0006]参考图2，在溅射过程中，经加速的带电粒子13撞击钛靶10表面的氮化钛层12，带电粒子13与氮化钛层12发生碰撞，产生能量和动量的转移，钛靶表面的原子14从钛靶10表面溢出并沉积在基底表面形成氮化钛膜层。[0007]但是现有技术中使用的靶材，在使用后容易在靶材表面形成残留物。发明内容[0008]本发明解决的问题是提供一种避免边缘长瘤的靶材结构，减少靶材在使用后表面形成的残留。[0009]为解决上述问题，本发明提供一种避免边缘长瘤的靶材结构，包括：[0010]靶材，包括与带电粒子发生碰撞的溅射面，所述溅射面的尺寸与所述带电粒子束宽相当；[0011]背板，用于固定所述靶材。[0012]可选的，所述靶材为钛靶。[0013]可选的，所述靶材的溅射面为圆形。[0014]可选的，所述溅射面的直径在302.68mm到302.94mm范围内。[0015]可选的，所述靶材平行于溅射面的横截面为圆形。[0016]可选的，所述靶材还包括垂直于所述溅射面的侧壁，所述侧