一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法.pdf
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一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法.pdf
本发明属于ITO靶材生产技术领域,尤其是一种避免浪费ITO靶材的尺寸控制装置及方法,针对现有技术中坯体受热不均匀导致横向的烧结收缩率差异较大,靶材利用率低下,坯体下部与坯体其他部位受热存在差距,坯体的收缩阻力表现为收缩率从上到下呈梯度减小的问题,现提出如下方案,其包括:烧结炉,以及位于烧结炉内的承烧台,所述烧结炉内滑动连接有门板,所述烧结炉远离门板的一侧内壁固定连接有弧形限位板,所述承烧台的底部设有多个万向轮,本发明中,通过带动承烧台和胚体转动,使胚体在烧结炉内受热均匀,避免胚体出现变形,且扇叶转动将烧结
一种ITO靶材烧结尺寸控制方法.pdf
本发明公开了一种ITO靶材烧结尺寸控制方法,本发明作为一种ITO靶材烧结尺寸控制方法,通过晾坯:将ITO靶材坯体,放置5‑10天;对位:将ITO靶材坯体放置在承烧板上;烧结:将承烧板放置在烧结炉内,盖上炉盖,向烧结炉内通入氧气;缩板:控制承烧板聚拢,烧结完成降温开炉,得到相对密度大于90%的ITO靶材;对ITO靶材坯体烧结过程中的垂直方向收缩偏差做出补偿,使制得ITO靶材更加均匀,从而提高ITO靶材磁控溅射的利用率;其中缩板步骤中使用一种ITO靶材烧结尺寸控制装置,此装置通过转动盘上的弧形槽带动控制杆沿转
一种ITO靶材废靶循环利用方法.pdf
本发明提供一种ITO靶材废靶循环利用方法,通过将ITO废靶放入汽化炉内,将炉内温度呈梯度升高至4000‑5000℃,0‑30min升温至500℃,在此温度下放入ITO废靶,之后保温,30‑40min升温至3000℃,40‑60min升温至4000‑5000℃,之后保温,直至ITO废靶全部汽化,最后在氮气气氛下冷却,得到纯度4N,比表面6‑8的ITO粉末,再进行球磨、冷等静压、烧结、机加工、绑定,最终得到ITO靶材,这样采用梯度升温,在升温至500℃时放入废靶,再升温至4000‑5000℃,可以对废靶完全汽
一种高纯度的ITO靶材生产装置.pdf
本发明公开了一种高纯度的ITO靶材生产装置,具体涉及ITO靶材生产领域,包括预处理机构、加工机构以及烧结机构;所述预处理机构包括外箱,所述外箱顶部固定设有第一风机,所述第一风机两侧均连接有抽风管。本发明通过预处理机构,第二风机将原料吹起,使得原料与灰尘分离,第二风机将灰尘从外箱中抽出,然后再通过驱动电机带动转轴转动,转轴通过齿轮以及端面齿轮带动搅拌片转动,对纯水中的原料进行搅拌,并配合超声波发生器进一步提高清洁效果,再通过水泵将上层污染液抽出保证下层的原料的纯净,整体使得本发明能够有效对原料进行去杂,从而
一种ITO靶材的制备方法.pdf
一种ITO靶材的制备方法,其特征是:采用透射电镜下观察粒度在10—100纳米的氧化锡粉末和微米级氧化铟粉末,质量比为1∶9;采用湿法混合的方法将氧化锡粉末和氧化铟粉末混合均匀成ITO粉末,溶剂选择水、无水乙醇、丙酮或异丙醇;将ITO粉末放入球磨罐中,加入钢芯尼龙球,再加入溶剂,球磨24小时,吹干溶剂,过60目筛,在钢模具中以50MPa压强干压成型,再在280MPa下进行冷等静压,保压10分钟,然后在烧结炉中纯氧气气氛下1200-1600℃温度下进行烧结,保温2-3小时。本发明通过引入无团聚的粒度分布窄的纳