一种半导体薄膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106298495A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201610948584.4(22)申请日2016.11.02(71)申请人苏州同冠微电子有限公司地址215600江苏省苏州市张家港经济技术开发区南区南园路和新丰东路交叉口(72)发明人王友伟(74)专利代理机构北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)11489代理人曹军(51)Int.Cl.H01L21/306(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种半导体薄膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。本发明有效解决了腐蚀过程中气泡残留的问题，保证了腐蚀的均匀性，提高了产品的整体良品率。CN106298495ACN106298495A权利要求书1/1页1.一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。2.如权利要求1所述的半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S101中，所述基底为硅晶圆。3.如权利要求1所述的半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S102中，所述薄膜通过等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法或薄膜沉积法获得。4.如权利要求1-3任一项所述的半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S104中，湿法腐蚀中采用的腐蚀性溶液为碱性溶液或酸性溶液。5.如权利要求4所述的半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S104中，所述碱性溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。6.如权利要求4所述的半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S104中，所述酸性溶液为硝酸、盐酸、氢氟酸、硫酸、醋酸中一种或几种。7.如权利要求4所述的半导体薄膜的制备方法，所述步骤S104中，腐蚀温度为25℃-80℃，腐蚀时间为5-60min。2CN106298495A说明书1/3页一种半导体薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别是，涉及一种半导体薄膜的制备方法。背景技术[0002]现有技术中，湿法腐蚀一般在常压下进行，由于腐蚀过程中腐蚀性溶液与薄膜反应产生气泡，气泡的残留会影响到后续腐蚀过程，导致腐蚀的均匀性受到影响，因此，一般采用人工操作抖动的方式去除去气泡，但由于人工操作的不一致性，使得产品批次间差异较大，影响产品的整体良品率。发明内容[0003]为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种半导体薄膜的制备方法，有效解决了腐蚀过程中气泡残留的问题，保证了腐蚀的均匀性，提高了产品的整体良品率。[0004]为解决上述问题，本发明所采用的技术方案如下：[0005]一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：[0006]S101.提供基底；[0007]S102.在基底上形成薄膜；[0008]S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；[0009]S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；[0010]S105.去除显影后剩余的光刻胶。[0011]优选的，所述步骤S101中，所述基底为硅晶圆。[0012]优选的，所述步骤S102中，所述薄膜通过等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法或薄膜沉积法获得。[0013]优选的，所述步骤S104中，湿法腐蚀中采用的腐蚀性溶液为碱性溶液或酸性溶液。[0014]优选的，所述步骤S104中，所述碱性溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。[0015]优选的，所述步骤S104中，所述酸性溶液为硝酸、盐酸、氢氟酸、硫酸、醋酸中一种或几种。[0016]优选的，所述步骤S104中，腐蚀温度为25℃-80℃，腐蚀时间为5-60min。[0017]相比现有技术，本发明的有益效果在于：[0018]1、本发明中使用真空环境，腐蚀液挥发的有害物质可以直接被抽走，不会对人和设备造成危害；2、本发明中真空环境可以更快的带走因腐蚀产生的气泡，使得腐蚀的均匀性更好；3、本发明中制备方法减少生产过程因为人操作差异导致的产品腐蚀差异，降低批次间的差异，提高了产品整体良品率。附图说明[0019]图1为本发明中半导体薄膜的制备方法的流程图。3CN106298495A说明