一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112028548A(43)申请公布日2020.12.04(21)申请号202010651340.6C04B111/94(2006.01)(22)申请日2020.07.08(71)申请人大同新成新材料股份有限公司地址037002山西省大同市新荣区花园屯村(72)发明人智伟峰张培林武建军柴利春张作文王志辉(74)专利代理机构太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)14119代理人杨凯连慧敏(51)Int.Cl.C04B26/32(2006.01)C04B40/02(2006.01)C04B111/20(2006.01)C04B111/28(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜及其制备方法(57)摘要本发明属于半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备技术领域，尤其是一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜及其制备方法，针对现有的掺杂型石墨烯薄膜制备较为复杂，现有的掺杂型石墨烯薄膜的耐高温性能差，严重影响使用寿命的问题，现提出如下方案，其包括包括以下成分：硫源20‑30，石墨30‑50份，硅胶20‑40份，云母5‑10份，硅胶和云母均具有耐高温特性，水墨石2‑6份，水墨石具有耐高温和导电特性，粘合剂6‑12份，铜粉6‑12份，导电粉1‑4份，炭黑N3008‑16份。本发明制备操作方便，可以制备半导体型硫掺杂石墨烯薄膜，提高石墨烯薄膜的耐高温性能，避免影响使用寿命。CN112028548ACN112028548A权利要求书1/1页1.一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜，其特征在于，包括以下成分：硫源20-30份，石墨30-50份，硅胶20-40份，云母5-10份，水墨石2-6份，粘合剂6-12份，铜粉6-12份，导电粉1-4份，炭黑N3008-16份，补强剂4-10份，碳酸钙3-9份，防老剂3-8份，硫源包括硫镓银、硫化钨、硫化镉。2.一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜，其特征在于，包括以下成分：硫源22-26，石墨35-45份，硅胶25-35份，云母7-9份，水墨石3-5份，粘合剂8-10份，铜粉7-10份，导电粉2-3份，炭黑N30010-14份，补强剂6-8份，碳酸钙5-7份，防老剂5-7份，硫源包括硫镓银、硫化钨、硫化镉。3.一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜，其特征在于，包括以下成分：硫源24，石墨40份，硅胶30份，云母8份，水墨石4份，粘合剂9份，铜粉8份，导电粉2.5份，炭黑N30012份，补强剂7份，碳酸钙6份，防老剂6份，硫源包括硫镓银、硫化钨、硫化镉。4.一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将所有原料粉碎为粉末并筛选；S2：将硫源，石墨，云母，水墨石，铜粉，导电粉，炭黑N300，补强剂，碳酸钙，防老剂加入混合器中混合，并加热烘干，得到干燥混合原料一；S3：将硅胶与粘合剂混合均匀，得到液体混合原料二；S4：将干燥混合原料一加入液体混合原料二内并搅拌均匀，得到半导体型硫掺杂石墨烯粘稠液体；S5：将搅拌均匀的半导体型硫掺杂石墨烯粘稠液体平铺到承载盘内并烘烤；S6：将烘干完成的材料取出，得到半导体型硫掺杂石墨烯薄膜。5.根据权利要求4所述的一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述S1中对原料进行除杂，将所有固体原料通过粉碎机和筛选机进行粉碎筛选，粉碎机和筛选机分别为多级粉碎和多级筛选。6.根据权利要求4所述的一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述S2中准备混合器，将固体原料加入混合器中进行混合，并加热干燥，可以将水分蒸发，取出干燥混合原料一，并对混合器清洗。7.根据权利要求4所述的一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述S3中将硅胶为液体，粘合剂为粘稠液体，将硅胶液体与粘合剂依次加入混合器中均匀混合，得到液体混合原料二。8.根据权利要求4所述的一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述S4中干燥混合原料一间歇性加入液体混合原料二中并不停的搅拌，直到干燥混合原料一与液体混合原料二均匀混合，得到半导体型硫掺杂石墨烯粘稠液体。9.根据权利要求4所述的一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述S5中将半导体型硫掺杂石墨烯粘稠液体取出，准备烘烤盘，并在烘烤盘的底部涂抹油脂，使用毛刷蘸取半导体型硫掺杂石墨烯粘稠液体均匀涂抹在烘烤盘内，使得半导体型硫掺杂石墨烯粘稠液体涂抹均匀。10.根据权利要求4所述的一种半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述S5中将烘烤盘放置到烘烤箱内进行烘干，使得半导体型硫掺杂石墨烯粘稠液体定型成为半导体型硫掺杂石墨烯薄膜，将烘烤盘取出冷却，将半导体型硫掺杂石墨烯薄膜取出即可。2CN112028548