一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115975231A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310106981.7(22)申请日2023.02.14(71)申请人江苏振宁半导体研究院有限公司地址221000江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河北侧、华山路西侧半导体产业园科创中心4楼407室(72)发明人潘曹峰韩勋(74)专利代理机构江苏长德知识产权代理有限公司32478专利代理师姚明侠(51)Int.Cl.C08J5/18(2006.01)C08L65/00(2006.01)C08G61/12(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法(57)摘要本发明公开了一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，具体包括如下步骤：将改性聚合物溶于N,N‑二甲基甲酰胺中，将基材浸泡在其中，浸泡30s后，以0.5cm/s的提拉速度取出基材，将在温度为130℃的条件下，烘干成膜，再从基材上剥离，制得可拉伸半导体薄膜，该改性聚合物为长链螺旋状结构，且分子侧链含有大量长链烷基，能够降低分子间的作用力，使得制备出的半导体薄膜具有很好的拉伸效果，同时该改性聚合物为P‑型半导体，使得该薄膜能够满足半导体技术要求。CN115975231ACN115975231A权利要求书1/1页1.一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：将改性聚合物溶于N,N‑二甲基甲酰胺中，将基材浸泡在其中，浸泡30‑50s后，以0.5‑0.8cm/s的提拉速度取出基材，将在温度为130‑150℃的条件下，烘干成膜，再从基材上剥离，制得可拉伸半导体薄膜。2.根据权利要求1所述的一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：所述的改性聚合物由如下步骤制成：步骤A1：将苯并噻吩和氯仿混合搅拌并滴加液溴，搅拌处理，制得中间体1，将中间体1加入四氢呋喃中，氮气保护并加入丁基锂，升温反应后，降温并加入氯化铜，升温至室温，搅拌处理，制得中间体2；步骤A2：将中间体2加入乙醚中，在零下78℃的条件下，氮气保护并加入丁基锂，搅拌处理后，加入四氯化硅，升温继续反应，制得中间体3，将中间体3、溴化氢饱和水溶液、四氢呋喃混合搅拌并滴加液溴，升温反应，制得中间体4；步骤A3：将3,6‑二溴‑9,10‑菲醌、硫代二乙酸二甲酯、苯混合搅拌后，降温并加入特丁醇钾，通入氮气保护，进行反应后，加入氢氧化钠水溶液，水解，制得中间体5；步骤A4：将中间体5、氯化亚砜、N,N‑二甲基甲酰胺混合反应后，蒸馏去除氯化亚砜，加入十二烷醇，继续反应，制得中间体6，将中间体6、联硼酸频那醇酯、乙酸甲、氯化钯、二氧六环混合均匀，氩气保护，进行反应，制得中间体7；步骤A5：将中间体4、中间体7、氟化钾、三二亚苄基丙酮二钯、甲苯、二氧六环混合均匀，在温度为零下15‑20℃的条件下，通入氩气置换空气，升温至90‑95℃，避光反应20‑25h，加入对甲基苯硼酸，进行反应20‑25h，再加入对溴甲苯，继续反应20‑25h，加入甲醇，过滤去除滤液，将底物提纯，制得改性聚合物。3.根据权利要求2所述的一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：步骤A1所述的苯并噻吩和液溴1mmol:1.2mL，中间体1、丁基锂、氯化铜的摩尔比为10:1:1.3。4.根据权利要求2所述的一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：步骤A2所述的中间体2、丁基锂、四氯化硅的摩尔比为5:10.5:2.8,中间体3、溴化氢、液溴的用量比为0.35mol:60mL:0.11mol。5.根据权利要求2所述的一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：步骤A3所述的3,6‑二溴‑9,10‑菲醌、硫代二乙酸二甲酯、特丁醇钾、硫代二乙酸二甲酯的摩尔比20:13.5:100，氢氧化钠溶液的质量分数为3‰。6.根据权利要求2所述的一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：步骤A4所述的中间体5、氯化亚砜、十二烷醇的用量比为2mmol:10mL:15mL，中间体6、联硼酸频那醇酯、乙酸甲、氯化钯的用量比为1mol:3mol:6mol:60g。7.根据权利要求2所述的一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法，其特征在于：步骤A5所述的中间体4、中间体7、氟化钾、三二亚苄基丙酮二钯、对甲基苯硼酸的用量比为0.15mol:0.15mol:1.2mol:3g:0.2mol。2CN115975231A说明书1/6页一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种可拉伸半导体薄膜的通用制备方法。背景技术[0002]电子工业的发展与半导体器件对材料的需求是促进半导体材料研究和开拓的动力，而材料的优化和新型材料的出现，又促进了半