一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106373876A(43)申请公布日2017.02.01(21)申请号201611028534.0(22)申请日2016.11.18(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号(72)发明人胡伟玲聂钰节唐在峰吴智勇任昱吕煜坤(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法(57)摘要本发明提供了一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，包括：第一步骤：提供用于多晶硅栅极刻蚀工艺的等离子体反应腔体和需要执行多晶硅栅极刻蚀工艺处理的半导体结构；第二步骤：在所述等离子体反应腔体内以使静电吸盘具有非对称性的方式固定静电吸盘；第三步骤：将所述半导体结构置于反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀工艺；其中，在多晶硅刻蚀的预定步骤的一步或多步之前或之后执行减少刻蚀腔体内残留的刻蚀副产物的附加清除步骤。CN106373876ACN106373876A权利要求书1/1页1.一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：提供用于多晶硅栅极刻蚀工艺的等离子体反应腔体和需要执行多晶硅栅极刻蚀工艺处理的半导体结构；第二步骤：在所述等离子体反应腔体内以使静电吸盘具有非对称性的方式固定静电吸盘；第三步骤：将所述半导体结构置于反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀工艺；其中，在多晶硅刻蚀的预定步骤的一步或多步之前或之后执行减少刻蚀腔体内残留的刻蚀副产物的附加清除步骤。2.根据权利要求1所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，在第二步骤，采用单悬臂固定静电吸盘以使静电吸盘具有非对称性。3.根据权利要求1或2所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，在第三步骤，所述附加清除步骤使用气体来减少刻蚀腔体内残留的刻蚀副产物。4.根据权利要求3所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，所述附加清除步骤所使用的气体包括：惰性气体和/或不产生刻蚀副产物的刻蚀气体。5.根据权利要求1或2所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，在第三步骤，在附加清除步骤中，通过在多晶硅刻蚀程式中增加减少刻蚀副产物的步骤来减少刻蚀腔体内残留的刻蚀副产物。6.根据权利要求1或2所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，所述预定步骤包括：抗反射涂层刻蚀步骤、硬掩膜刻蚀步骤、多晶硅刻蚀步骤和硅刻蚀步骤。7.根据权利要求1或2所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，所述附加清除步骤包括：在多晶硅刻蚀工艺过程的抗反射涂层刻蚀步骤后增加的惰性气体稀释刻蚀副产物的步骤。8.根据权利要求1或2所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，所述附加清除步骤包括：在多晶硅刻蚀工艺过程的硬掩膜刻蚀步骤后增加的惰性气体稀释刻蚀副产物的步骤。9.根据权利要求1或2所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，所述附加清除步骤包括：在多晶硅刻蚀工艺过程的硅刻蚀步骤后增加的惰性气体稀释刻蚀副产物的步骤。10.根据权利要求1或2所述的改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于，所述附加清除步骤包括：在多晶硅刻蚀工艺过程结束后使用惰性气体或非反应性气体对刻蚀腔体进行气体稀释的步骤。2CN106373876A说明书1/4页一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法。背景技术[0002]随着集成电路技术进入超大规模集成电路时代，集成电路的工艺尺寸向着65nm以及更小尺寸的结构发展，同时对晶圆制造工艺提出了更高更细致的技术要求。其中，刻蚀中产生的刻蚀缺陷对晶圆的良率变得越来越敏感。为了应对集成电路向深亚微米以至纳米尺度发展，在半导体制造过程中占据重要地位的等离子体干法刻蚀工艺技术也得到了不断地发展，其中主要有被刻蚀晶片的膜层结构设计技术和刻蚀工艺本身优化技术的开发。由于被刻蚀图形线条的微细化的发展，刻蚀工艺参数优化也显得十分重要。[0003]目前在大规模集成电路的多晶过工艺过程中采用等离子体刻蚀，也称为干法刻蚀，是利用等离子体进行薄膜刻蚀技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一是等离子体中的气体化学活性比常态下要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；二是可以利用电场对等