一种刻蚀反应腔体的清洁方法.pdf
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相关资料
一种刻蚀反应腔体的清洁方法.pdf
本发明公开了一种刻蚀反应腔体的清洁方法,包括反应腔体和进气单元;清洁方法包括:通入第一工艺气体冲洗进气单元,使进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落;接着通入第二工艺气体,使所述第二工艺气体的等离子体与剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应,以清洗反应腔体的内壁;然后通入第三工艺气体并增加所述第三工艺气体的压力,使所述第三工艺气体的等离子体与进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物反应,以清洗进气单元的内壁;最后增加第二工艺气体的压力,与进气单元内未剥落的第一副产物发生反应,以清洗所述进气单元的
刻蚀设备腔体清洁方法及其清洁系统.pdf
本发明公开了一种用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体,清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁方法,包括:采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积,使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜,并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质;采用清洁气体清除所述清洁薄膜。本发明还公开了一种用于清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁系统。本发明的清洁方法和清洁系统能清除刻蚀设备腔体内残留杂质(聚合物或污染颗粒),能提高刻蚀设备腔体高清洁效率。
终点检测窗及刻蚀反应腔体.pdf
本公开是关于一种终点检测窗及刻蚀反应腔体,应用于终点检测窗的安装中,所述终点检测窗包括:主体,所述主体包括透光部;安装于所述主体上的弹性形变体,所述弹性形变体暴露出所述透光部,且所述弹性形变体至少一处轮廓的边缘位于所述主体的轮廓的边缘外部。本公开通过弹性形变体增强了终点检测窗的安装稳定性,弹性形变体能够起到减震缓冲的作用,减小了终点检测窗由于受到震动而从安装位置掉落的可能,同时弹性形变体在终点检测窗安装位置受损扩大时能够产生形变,减小了终点检测窗掉落的可能,保护了晶片不受损伤,同时提高了刻蚀设备的工作稳定
半导体刻蚀工艺真空腔体设备及刻蚀方法.pdf
本发明公开了一种半导体刻蚀工艺真空腔体设备,用于半导体生产中的光刻胶剥离,所述刻蚀工艺真空腔体设备的光谱信号采集装置采集预设波长光谱信号,当所述预设波长光谱信号符合预设规则刻蚀工艺真空腔体设备停止光刻胶剥离。本发明还提供了一种半导体刻蚀方法。本发明能将光刻胶完全剥离,避免光刻胶残留或光刻胶过刻蚀对其他器件结构产生破坏,进而避免对器件性能产生影响。
一种层压机腔体清洁方法.pdf
本发明提供一种层压机腔体清洁方法,该清洁工具包括吸附装置、连通轴和清洁装置,所述吸附装置有两个,通过连通轴连通,连通轴上方设有清洁装置,连通轴与清洁装置之间由弹簧连接。本发明通过设置吸附装置,可以将清洁头固定,减少作业人员体力消耗,同时达到受力均匀的效果,减少戳伤硅胶板的风险,同时设置滚轮式可以使清洁头随着滚轮随意移动,方便清洁。