改善刻蚀缺陷的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115159449A(43)申请公布日2022.10.11(21)申请号202210876118.5(22)申请日2022.07.25(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号(72)发明人张振兴周真(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211专利代理师刘昌荣(51)Int.Cl.B81C1/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称改善刻蚀缺陷的方法(57)摘要本发明提供一种改善刻蚀缺陷的方法，提供衬底，衬底上形成有第一金属层以及形成于第一金属层上的第二金属层；在第二金属层上形成光刻胶层，光刻打开部分光刻胶层使得其下方的第二金属层裸露，调节光刻胶去除机台的温度，使得第一、二金属层的接触面处形成为金属间化合物；利用湿法刻蚀去除裸露的第二金属层，之后干燥处理衬底，使得第一、二金属层上的溶液去除；利用灰化工艺去除光刻胶层，使得第一、二金属层上残留的溶液去除；清洗衬底，之后干燥处理衬底。本发明在金属层刻蚀前进行烘烤热处理，释放热应力；并在刻蚀后加强干燥处理，清除因金属层间反应而产生的空洞内的残留酸液，阻止残留酸液的进一步刻蚀反应，从而改善鼠咬缺陷。CN115159449ACN115159449A权利要求书1/1页1.一种改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有第一金属层以及形成于所述第一金属层上的第二金属层；步骤二、在所述第二金属层上形成光刻胶层，光刻打开部分所述光刻胶层使得其下方的所述第二金属层裸露，之后调节光刻胶去除机台的温度，使得裸露的所述第二金属层与其下方的所述第一金属层的接触面处形成为金属间化合物；步骤三、利用湿法刻蚀去除裸露的所述第二金属层，之后干燥处理所述衬底，使得第一、二金属层上的溶液去除；步骤四、利用灰化工艺去除所述光刻胶层，使得所述第一、二金属层上残留的溶液去除；步骤五、清洗所述衬底，之后干燥处理所述衬底。2.根据权利要求1所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤一中所述第一金属层的材料为钛。4.根据权利要求3所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤一中所述第二金属层的材料为铝。5.根据权利要求4所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤二中所述金属间化合物为TiAL3。6.根据权利要求1所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤二中所述光刻胶去除机台为深紫外光处理机台。7.根据权利要求1所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤二中调节所述深紫外光处理机台的温度为150至180摄氏度。8.根据权利要求1所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤三中利用异丙醇蒸气干燥机去除所述溶液，之后在所述异丙醇蒸气干燥机通入氮气，用以排出其中的气体。9.根据权利要求1所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤四中用于所述灰化工艺中的电炉的温度为250摄氏度。10.根据权利要求1所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤四中用于所述灰化工艺中的电炉中通入的气体为H2N2和O2。11.根据权利要求10所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤四中以200至400SCCM的H2N2、2500至3500SCCM的O2通入所述电炉。12.根据权利要求1所述的改善刻蚀缺陷的方法，其特征在于：步骤四中用于所述灰化工艺中的电炉的功率为1000至1400瓦。2CN115159449A说明书1/3页改善刻蚀缺陷的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善刻蚀缺陷的方法。背景技术[0002]MEMS传感器即微机电系统(MicroelectroMechanicalSystems)，是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域。经过四十多年的发展，已成为世界瞩目的重大科技领域之一。它涉及电子、机械、材料、物理学、化学、生物学、医学等多种学科与技术，具有广阔的应用前景。目前已研制出包括微型压力传感器、加速度传感器、微喷墨打印头、数字微镜显示器在内的几百种产品，其中MEMS传感器占相当大的比例。MEMS传感器是采用微电子和微机械加工技术制造出来的新型传感器。与传统的传感器相比，它具有体积小、重量轻、成本低、功耗低、可靠性高、适于批量化生产、易于集成和实现智能化的特点。同时，在微米量级的特征尺寸使得它可以完成某些传统机械传感器所不能实现的功能。[0003]对于MEMS加速度计产品，现有技术中采用在衬底上的铝层上形成一层光刻胶，通过光刻定义出铝层上的图形，之后打开光刻胶层通过湿法刻蚀去除裸露的铝层，之后对湿法刻蚀后的衬底进