

半导体反应腔.pdf
猫巷****觅蓉
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相关资料
半导体反应腔.pdf
本发明揭示了一种半导体反应腔,包括:腔室本体,腔室本体的壁上设置有进气管及晶圆进出口,进气管在腔室本体内的部分与导流装置相连;晶圆载盘,晶圆载盘设置于腔室本体内,由支撑柱托起,晶圆载盘与导流装置相对且平行,晶圆载盘用于承载晶圆;伸缩组件,用于带动所述晶圆载盘和/或导流装置移动,以使所述晶圆载盘和导流装置之间的距离在第一距离和第二距离之间调节,所述第一距离使得机械手能在所述晶圆载盘和导流装置之间的空间内操作,所述第二距离小于所述第一距离。本发明所揭示的半导体反应腔,能够在取放晶圆时留出空间,而在工艺进行时压
反应腔室及半导体加工设备.pdf
本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备,其包括法拉第屏蔽环和用于支撑该法拉第屏蔽环的绝缘环,在绝缘环的支撑面设置有凹部,且在法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部,该凸部位于凹部内,其中,凹部包括朝外方向的第一侧面,凸部包括朝内方向的第二侧面,第一侧面和第二侧面相贴合;凹部被设置为使凸部在受热膨胀时不受凹部的限制。本发明提供的反应腔室,其不仅可以保证绝缘环在高温状态下不被破坏,而且可以确保法拉第屏蔽环的准确定位,从而可以提高工艺均匀性、稳定性和设备可靠性。
反应腔的开腔机构、反应腔系统和半导体器件的加工装置.pdf
本发明公开了一种反应腔的开腔机构、一种反应腔系统和一种半导体器件的加工装置。该开腔机构包括:至少一个升降机构,其底座连接该反应腔的侧面,其上部活动端连接该反应腔的腔盖,用于带动该腔盖进行上升及下降;以及机械限位装置,其底部设置于该升降机构的底座,其顶部在该腔盖上升到达行程上限时,抵接该腔盖的下表面以支撑该腔盖。通过采用上述配置,本发明能够防止腔盖突然坠落的风险。
反应腔室及半导体工艺设备.pdf
本申请公开了一种反应腔室及半导体工艺设备,涉及半导体工艺设备领域。一种反应腔室,包括:腔室主体;基座,所述基座可旋转地设置于所述腔室主体内,所述基座用于承载晶片;诱导磁组,所述诱导磁组设置于所述基座外侧,且所述诱导磁组与所述基座同步旋转,用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的诱导磁场;所述诱导磁组和所述基座的自转速度与所述半导体工艺设备中的磁控装置的旋转速度相同。一种半导体工艺设备,包括靶材、磁控装置和反应腔室,所述靶材设置于所述反应腔室的顶部开口处,所述磁控装置可在所述靶材上方围绕所述反应腔室的轴线转动。
反应腔室及半导体热处理设备.pdf
本发明提供一种反应腔室及半导体热处理设备,包括内炉管,套置在内炉管外周的外炉管和进气管,进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部;第一管部的出气端伸入设置在内炉管上的第一通孔中,且第一管部通过第一通孔与内炉管的内部连通;第二管部设置在内炉管和外炉管之间,第三管部的进气端通过设置在外炉管上的第二通孔延伸至外炉管的外部;第一管部与第一通孔相配合,且第三管部固定在第二通孔处,以能够使进气管整体固定不动。其可以提高进气管的固定稳定性,并能够防止进气管与基片发生碰撞,减少损失,且工艺气体不会受到进气管