反应腔室及半导体热处理设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110767569A(43)申请公布日2020.02.07(21)申请号201810834696.6(22)申请日2018.07.26(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人杨帅董金卫杨慧萍(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人彭瑞欣张天舒(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称反应腔室及半导体热处理设备(57)摘要本发明提供一种反应腔室及半导体热处理设备，包括内炉管，套置在内炉管外周的外炉管和进气管，进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部；第一管部的出气端伸入设置在内炉管上的第一通孔中，且第一管部通过第一通孔与内炉管的内部连通；第二管部设置在内炉管和外炉管之间，第三管部的进气端通过设置在外炉管上的第二通孔延伸至外炉管的外部；第一管部与第一通孔相配合，且第三管部固定在第二通孔处，以能够使进气管整体固定不动。其可以提高进气管的固定稳定性，并能够防止进气管与基片发生碰撞，减少损失，且工艺气体不会受到进气管自身结构的影响，提高工艺气体在反应腔室内分布的均匀性，从而提高半导体热处理的工艺效果。CN110767569ACN110767569A权利要求书1/1页1.一种反应腔室，包括内炉管和套置在所述内炉管外周的外炉管，其特征在于，还包括进气管，所述进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部，其中，所述内炉管上设置有第一通孔；所述第一管部的出气端伸入所述第一通孔中，且所述第一管部通过所述第一通孔与所述内炉管的内部连通；所述第二管部设置在所述内炉管和外炉管之间；所述外炉管上设置有第二通孔；所述第三管部的进气端通过所述第二通孔延伸至所述外炉管的外部；所述第一管部与所述第一通孔相配合，且所述第三管部固定在所述第二通孔处，以能够使所述进气管整体固定不动。2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一通孔的直径大于或者等于所述第一管部的外径；并且，在所述第一通孔的直径大于所述第一管部的外径时，所述第一管部与所述第一通孔相接触，以限定所述第一管部的位置。3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第二管部与所述外炉管的内侧壁相贴合。4.根据权利要求1-3任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述内炉管的管壁上沿其厚度方向贯穿形成所述第一通孔；所述外炉管的管壁上沿其厚度方向贯穿形成所述第二通孔；所述第一管部水平设置；所述第三管部水平设置。5.根据权利要求1-3任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述第三管部的外径大于所述第二管部的外径；并且，所述进气管还包括过渡管部，所述过渡管部串接在所述第三管部与第二管部之间，且所述过渡管部的两端的外径分别与所述第三管部与第二管部相等，并且所述过渡管部的外径自所述第二管部向所述第三管部逐渐增大。6.根据权利要求1-3任意一项所述的反应腔室，其特征在于，还包括固定接头，所述固定接头设置在所述外炉管的外周壁上，且在所述固定接头中设置有固定孔，所述第三管部设置在所述固定孔中，用于使所述第三管部在所述第二通孔中固定不动。7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，在所述固定孔与所述第三管部之间设置有密封圈。8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述密封圈为至少两个，且沿所述第三管部的轴向间隔设置。9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括连接管，所述连接管的一部分位于所述固定孔中，且套置在所述第三管部上；所述连接管的其余部分位于所述固定接头的外部，用于连接气源；并且，在所述连接管与所述第三管部之间设置有密封圈。10.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。2CN110767569A说明书1/5页反应腔室及半导体热处理设备技术领域[0001]本发明涉及半导体热处理设备技术领域，具体地，涉及一种反应腔室及半导体热处理设备。背景技术[0002]目前，半导体热处理设备是集成电路制造的重要工艺设备，主要包括反应腔室及石英进气管，工艺气体通过石英进气管进入反应腔室内。石英进气管的出气口位置以及其自身结构都会影响工艺气体的在反应腔室内的分布，进而影响半导体热处理的工艺效果，因此，石英进气管的安装位置以及稳定性对于半导体热处理设备是非常重要的。[0003]如图1所示，在现有的一种半导体热处理设备中，进气管11包括水平部分与竖直部分，其中，竖直部分位于反应腔室内，水平部分的一端与竖直部分连接，另一端穿过反应腔室壁12，并向外延伸。工艺气体依次通过水平部分与竖直部分进入反应腔室内。并且，在反应腔室内