反应腔室及半导体加工设备.pdf
骊英****bb
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相关资料
反应腔室及半导体加工设备.pdf
本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备,其包括法拉第屏蔽环和用于支撑该法拉第屏蔽环的绝缘环,在绝缘环的支撑面设置有凹部,且在法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部,该凸部位于凹部内,其中,凹部包括朝外方向的第一侧面,凸部包括朝内方向的第二侧面,第一侧面和第二侧面相贴合;凹部被设置为使凸部在受热膨胀时不受凹部的限制。本发明提供的反应腔室,其不仅可以保证绝缘环在高温状态下不被破坏,而且可以确保法拉第屏蔽环的准确定位,从而可以提高工艺均匀性、稳定性和设备可靠性。
中转腔室及半导体加工设备.pdf
本发明提供一种中转腔室及半导体加工设备,该中转腔室包括腔体、加热装置和排风装置,其中,在腔体内设置有承载装置,用于承载被加工工件;加热装置用于对被加工工件进行加热,以使被加工工件表面的残留气体挥发;排风装置用于排出腔体内的气体。本发明提供的中转腔室,其可以避免被加工工件表面的残留气体腐蚀前端腔室,从而可以提高前端腔室内部零部件的寿命,减少设备运行维护成本。
反应腔室及半导体工艺设备.pdf
本申请公开了一种反应腔室及半导体工艺设备,涉及半导体工艺设备领域。一种反应腔室,包括:腔室主体;基座,所述基座可旋转地设置于所述腔室主体内,所述基座用于承载晶片;诱导磁组,所述诱导磁组设置于所述基座外侧,且所述诱导磁组与所述基座同步旋转,用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的诱导磁场;所述诱导磁组和所述基座的自转速度与所述半导体工艺设备中的磁控装置的旋转速度相同。一种半导体工艺设备,包括靶材、磁控装置和反应腔室,所述靶材设置于所述反应腔室的顶部开口处,所述磁控装置可在所述靶材上方围绕所述反应腔室的轴线转动。
半导体设备和半导体设备的反应腔室的清理方法.pdf
本发明公开了一种半导体设备和该半导体设备的反应腔室的清理方法,属于半导体制造技术领域。所述半导体设备包括反应腔室,用于容纳待处理晶片,所述半导体设备还包括位于所述反应腔室的侧壁且靠近所述反应腔室顶部的进气清理组件,所述进气清理组件包括至少一个喷嘴,所述喷嘴可沿所述反应腔室的径向伸缩,以调节所述喷嘴伸入到所述反应腔室内部的长度,以清理位于所述反应腔室顶部的残留物。能够有效提高待处理晶片的加工良率,同时,还能够减少反应腔室维护后的恢复时间。
反应腔室及半导体热处理设备.pdf
本发明提供一种反应腔室及半导体热处理设备,包括内炉管,套置在内炉管外周的外炉管和进气管,进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部;第一管部的出气端伸入设置在内炉管上的第一通孔中,且第一管部通过第一通孔与内炉管的内部连通;第二管部设置在内炉管和外炉管之间,第三管部的进气端通过设置在外炉管上的第二通孔延伸至外炉管的外部;第一管部与第一通孔相配合,且第三管部固定在第二通孔处,以能够使进气管整体固定不动。其可以提高进气管的固定稳定性,并能够防止进气管与基片发生碰撞,减少损失,且工艺气体不会受到进气管