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一种ITO镀膜返工处理蚀刻液及其制备方法.pdf
2023-11-20
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一种ITO镀膜返工处理蚀刻液及其制备方法.pdf
本发明属于TFT‑LCD减薄镀膜领域，本发明公开了一种ITO镀膜返工处理蚀刻液及其制备方法。ITO镀膜返工处理蚀刻液，由盐酸、草酸、有机多元磷酸、碘酸和纯水五种原料混合均匀而成；该ITO镀膜返工处理蚀刻液制备工艺，包括将强酸性阳离子交换树脂加入到盐酸中，搅拌混合，然后滤出强酸性阳离子交换树脂，控制或去除盐酸中的杂质离子；将草酸晶体、部分纯水、盐酸、有机多元磷酸、碘酸、剩余纯水，最后过滤制得ITO镀膜返工处理蚀刻液；有益效果：本发明的蚀刻液对ITO层的浸润性好，保证TFT‑LCD上的ITO能够完全蚀刻，从而
2023-11-20
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一种ITO返工蚀刻液及其制备方法.pdf
本发明涉及一种ITO返工蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液由三氯化铁、硫酸、添加剂、表面活性剂和纯水组成，其中添加剂为硫脲及其衍生物或咪唑啉衍生物，表面活性剂为直链烷基苯磺酸钠盐、铵盐或乙醇胺盐阴离子表面活性剂。其制备方法如下:按比例将三氯化铁溶解于高纯水，并添加到混合釜中，然后依次加入硫酸、添加剂及表面活性剂，搅拌循环后进行微滤，得到该配方产品。该蚀刻液成分性能稳定，蚀刻速率快，能很快去除基板制程表面铟锡氧化物(ITO)膜层，添加的添加剂有效的保护下层制程(金属)膜层不被腐蚀，添加的表面活性剂有效的提高蚀刻液
2023-11-19
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一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法.pdf
本申请提供了一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法。所述ITO蚀刻液包括以下重量份数的各组分：2‑10份的草酸，0.01‑3份的表面活性剂，0.01‑3份的分散剂，以及水；其中，所述表面活性剂包括聚氧乙烯烷基二胺、聚氧乙烯烷基胺中的至少一种；所述分散剂包括二甘醇胺、聚乙二醇单辛基苯基醚中的至少一种。该ITO蚀刻液渗透性好、不易发泡、可控性强、蚀刻角度平滑、精度高，能在短时间内完成材料的蚀刻，蚀刻后材料的关键尺寸损失小于1.0μm，蚀刻角度小于70°，且蚀刻后基板上无光刻胶保护的区域几乎无ITO残留。
2023-11-06
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一种用于ITO‑Ag‑ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法.pdf
本发明涉及一种用于ITO‑Ag‑ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法，其重量百分比组成如下：硝酸5～15％，硫酸5～15％，醋酸5～25％，添加剂0.01～1％，余量为水，所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中，然后加入添加剂和余量高纯水，搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强，蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料，不含磷酸，蚀刻液黏度低，蚀刻过程中药液带出量少，蚀刻液寿命长，有利于降低蚀刻液的成本。
2023-11-20
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一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法.pdf
本发明涉及一种兼容性ITO蚀刻液及制备方法，其蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硝酸10%～30%、硫酸10%～20%、金属盐1%~10%、铵盐0.5%‑3%，余量为纯水；依次加入硝酸、纯水、金属盐、铵盐后充分搅拌、混合均匀，再往混合均匀的硝酸、纯水、金属盐、铵盐的混合物中缓慢加入硫酸，充分搅拌混合均匀得到兼容性ITO蚀刻液。本发明的兼容性ITO蚀刻液适用于不同厚度的ITO膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高。针对不同厚度的膜层，只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的，无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
2023-08-04
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