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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106701085A(43)申请公布日2017.05.24(21)申请号201611231750.5(22)申请日2016.12.28(71)申请人杭州格林达化学有限公司地址311200浙江省杭州市萧山区杭州萧山临江工业园区红十五路9936号(72)发明人刘志彪邢攸美尹云舰胡涛陈虹飞(74)专利代理机构杭州赛科专利代理事务所(普通合伙)33230代理人冯年群(51)Int.Cl.C09K13/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称一种ITO返工蚀刻液及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种ITO返工蚀刻液及其制备方法,该蚀刻液由三氯化铁、硫酸、添加剂、表面活性剂和纯水组成,其中添加剂为硫脲及其衍生物或咪唑啉衍生物,表面活性剂为直链烷基苯磺酸钠盐、铵盐或乙醇胺盐阴离子表面活性剂。其制备方法如下:按比例将三氯化铁溶解于高纯水,并添加到混合釜中,然后依次加入硫酸、添加剂及表面活性剂,搅拌循环后进行微滤,得到该配方产品。该蚀刻液成分性能稳定,蚀刻速率快,能很快去除基板制程表面铟锡氧化物(ITO)膜层,添加的添加剂有效的保护下层制程(金属)膜层不被腐蚀,添加的表面活性剂有效的提高蚀刻液浸润性,减少了ITO残留,且该制备工艺简单,原料廉价易得,能更有效地降低工业化生产成本及提高生产效率。CN106701085ACN106701085A权利要求书1/1页1.一种ITO返工蚀刻液,其特征在于:所述蚀刻液由三氯化铁、硫酸、添加剂、表面活性剂和纯水组成,所述添加剂为硫脲及其衍生物或咪唑啉衍生物,表面活性剂为直链烷基苯磺酸钠盐阴离子表面活性剂、铵盐阴离子表面活性剂或乙醇胺盐阴离子表面活性剂。2.根据权利1所述的一种ITO返工蚀刻液,其特征在于:所述蚀刻液各组分的重量百分比含量如下:10~25%的三氯化铁,5~20%的硫酸,0.01~1%的添加剂,0.01~0.1%的表面活性剂,余量为纯水。3.根据权利1所述的一种ITO返工蚀刻液,其特征在于:所述三氯化铁、硫酸原料分别为质量分数99.5%六水三氯化铁和50%电子级硫酸。4.根据权利要求1所述的ITO返工蚀刻液,其特征在于:所述添加剂为硫脲及其衍生物和咪唑啉衍生物中的任意几种的组合。5.根据权利要求1所述的ITO返工蚀刻液,其特征在于:所述直链烷基苯磺酸铵盐阴离子表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠盐、铵盐和乙醇胺盐中的一种。6.一种权利要求1-5任意一项所述的ITO返工蚀刻液的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:1)按比例将三氯化铁溶解于高纯水中,并添加到混合釜中;2)在不断搅拌的条件下,按比例加入电子级硫酸,并循环搅拌30min;3)在不断搅拌的条件下,按比例加入添加剂、表面活性剂,并循环搅拌6h;4)将混合液体通过0.1μm过滤器进行过滤后,得到所述ITO返工蚀刻液。2CN106701085A说明书1/7页一种ITO返工蚀刻液及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种去除基板制程中表面ITO膜层的湿法蚀刻用组合物及其制备方法。更详细地说,本发明涉及用于制备LCD、FED、PDP、OLED/PLED显示器/屏等的铟锡氧化物(ITO)导电膜的返工蚀刻中的蚀刻液组成及其制备方法。背景技术[0002]铟锡氧化物(ITO)导电膜具有透光性好,电阻率低,高温稳定性好及制备加工工艺简单等诸多优点,从而广泛用于制备LCD、FED、PDP、OLED/PLED显示器/屏等,在生产工艺过程中,铟锡氧化物(ITO)层一般通过磁控溅射等方法在基板表面沉积而成,当铟锡氧化物(ITO)层达不到工艺要求或者出现缺陷时,就需要将ITO层去除,重新进行ITO薄膜溅射沉积。[0003]目前在工艺处理上,一般都采用化学方法如王水法将铟锡氧化物(ITO)层蚀刻去除,或者通过物理研磨的方法去除,然而,王水蚀刻法蚀刻过程剧烈,其盐酸和硝酸易挥发,对环境及设备造成很大影响,同时,蚀刻过程不易控制,对下层金属会有腐蚀;物理研磨法研磨后基板厚薄不易控制,同时研磨过程中易导致裂片,造成更大损失。[0004]现有专利技术中,专利CN201510937453.1公开了去除基板表面ITO的方法,具体为将有ITO的基板置于酸液中浸泡进行酸洗,及将酸洗后基板清除表面酸液后置于碱液中进行碱洗,其酸液组分按重量计为20%~25%的盐酸、30%~35%的醋酸及其余水,其碱液组分按重量计为8%~10%的碱、15%~20%的非离子表面活性剂及其余水,上述处理方法中,处理工艺较为繁琐,效率低,不利于大量返工处理,且会对下层制程(金属)膜层产生腐蚀。发明内容[0005]基于此,本发明在于克服以上处理缺点与不足,开发一种处理工艺简单、对环境及设备友好、对下层制