一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106479505A(43)申请公布日2017.03.08(21)申请号201610860973.1(22)申请日2016.09.29(71)申请人杭州格林达化学有限公司地址310000浙江省杭州市萧山区杭州萧山临江工业园区红十五路9936号(72)发明人胡涛刘志彪陈虹飞邢攸美尹云舰(74)专利代理机构杭州赛科专利代理事务所(普通合伙)33230代理人冯年群(51)Int.Cl.C09K13/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法(57)摘要一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法，重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2～12％，添加剂0.01～2％，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6-三羟基苯甲酸中的任意一种。本发明的蚀刻液以硝酸和硫酸为主要成分，工艺简单，酸浓度适中，对ITO导电薄膜具有优异的蚀刻性能，蚀刻速率适中，蚀刻精度高无残留，能够满足不同厚度ITO的蚀刻要求。同时采用一种碱金属盐和一种有机物作为添加剂，对下层金属Al或者Mo都具有优异的抗蚀效果，能够很好的满足技术工艺和制程要求。另外，该蚀刻液以低成本硫酸为原料，在满足技术工艺和制程要求的基础上有利于降低蚀刻液的成本。CN106479505ACN106479505A权利要求书1/1页1.用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液，其特征在于：所述高精度蚀刻液的重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2～12％，添加剂0.01～2％，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6-三羟基苯甲酸中的任意一种。2.根据权利要求1所述的用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液，其特征在于：碱金属盐选自硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠、磷酸二氢钠、磷酸钾、醋酸钾、硫酸钾、磷酸二氢钾和焦磷酸钾中的任意一种。3.根据权利要求1所述的用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液，其特征在于：硫脲衍生物为乙烯硫脲、N-甲基硫脲、4-甲基-硫代氨基脲或苯甲酰基硫脲。4.根据权利要求1所述的用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液，其特征在于：碱金属盐和有机物的质量比为：0.005-5:1。5.一种权利要求1-4任意一项所述的用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：(1)按比例在混配釜中加入电子级硫酸；(2)在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级硝酸，并循环30min；(3)在不断搅拌的条件下，按比例加入两种添加剂和余量水，并循环5h；(4)将混合液体采用0.1μm过滤器进行过滤后得到ITO蚀刻液。2CN106479505A说明书1/6页一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及湿电子化学品领域，特别涉及一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法。背景技术[0002]透明导电氧化物具有越来越重要的商业价值，应用最广泛及价值最大的领域是在平板显示制造业中。而目前应用作为电极的透明导电氧化物主要是氧化铟锡(Indium-tin-oxide，ITO)。ITO蚀刻液广泛用于TFT-LCD产业的ITO透明电极的制造工序中。ITO膜的蚀刻是TFT图案Array制造的最后一道工序。在ITO膜溅射后，覆盖一层光刻胶，光罩显影图案，并用蚀刻液蚀刻ITO膜，再剥离光刻胶，形成所需图案。另外，随着显示行业的发展，产线制程不断更新，对蚀刻精度也有了更高的要求，因此，开发一款高精细的ITO蚀刻液，满足客户蚀刻工艺和制程工艺的要求就显得尤为必要。[0003]现有技术中，CN201510832036.0中公开了一种高世代平板用ITO蚀刻液，以硫酸/硝酸/醋酸为主要体系，所用酸的含量都较高，蚀刻反应剧烈，难以控制蚀刻精度，不适用于厚度较小的ITO膜层，而且蚀刻液成本较高，另外，该蚀刻液成分中含有醋酸，在使用过程中，醋酸容易挥发，需要不断补充，增加了工艺难度。CN200910003907.2公开了一种用于蚀刻铟锡氧化物层的蚀刻剂组合物及用其蚀刻的方法，该蚀刻剂组合物以硫酸，硝酸，蚀刻控制剂为主要成分，蚀刻控制剂主要为钾盐，该蚀刻液酸浓度较低，蚀刻速率较慢，而且容易对下层Mo和Al造成侵蚀，难以满足工艺和制程要求。发明内容[0004]本发明的目的在于解决现有技术的不足，提供一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法。[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：[0006]用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液，所述高精度蚀刻液的重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2