一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114507527A(43)申请公布日2022.05.17(21)申请号202111517991.7(22)申请日2021.12.13(71)申请人福建中安高新材料研究院有限公司地址350003福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园G区13号楼二层201室(72)发明人王维潘春林李自杰林秋玉(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202专利代理师李珊珊(51)Int.Cl.C09K13/00(2006.01)H01L21/3213(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法(57)摘要本申请提供了一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法。所述ITO蚀刻液包括以下重量份数的各组分：2‑10份的草酸，0.01‑3份的表面活性剂，0.01‑3份的分散剂，以及水；其中，所述表面活性剂包括聚氧乙烯烷基二胺、聚氧乙烯烷基胺中的至少一种；所述分散剂包括二甘醇胺、聚乙二醇单辛基苯基醚中的至少一种。该ITO蚀刻液渗透性好、不易发泡、可控性强、蚀刻角度平滑、精度高，能在短时间内完成材料的蚀刻，蚀刻后材料的关键尺寸损失小于1.0μm，蚀刻角度小于70°，且蚀刻后基板上无光刻胶保护的区域几乎无ITO残留。CN114507527ACN114507527A权利要求书1/1页1.一种ITO蚀刻液，其特征在于，所述ITO蚀刻液包括以下重量份数的各组分：2‑10份的草酸，0.01‑3份的表面活性剂，0.01‑3份的分散剂，以及水；其中，所述表面活性剂包括聚氧乙烯烷基二胺、聚氧乙烯烷基胺中的至少一种；所述分散剂包括二甘醇胺、聚乙二醇单辛基苯基醚中的至少一种。2.根据权利要求1所述的ITO蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂还包括十二烷基二甲基苄基氯化铵、十六烷基三甲基溴化铵中的至少一种。3.根据权利要求1所述的ITO蚀刻液，其特征在于，所述ITO蚀刻液还包括金属螯合剂，所述金属螯合剂包括乙二胺四乙酸、柠檬酸、酒石酸中的至少一种。4.根据权利要求1所述的ITO蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液还包括无机氯化物，所述无机氯化物包括氯化铁、氯化钾、氯化铵中的至少一种。5.根据权利要求1所述的ITO蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液中包括以下重量份数的各组分：3‑6份的草酸，0.01‑1份的表面活性剂，0.01‑1份的分散剂，以及水。6.根据权利要求1‑5任一项所述的ITO蚀刻液，其特征在于，所述ITO蚀刻液的pH值为1‑3。7.一种ITO蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将草酸、表面活性剂、分散剂及水按比例混合，得到ITO蚀刻液；所述ITO蚀刻液包括以下重量份数的各组分：2‑10份的草酸，0.01‑3份的表面活性剂，0.01‑3份的分散剂，以及水；其中，所述表面活性剂包括聚氧乙烯烷基二胺、聚氧乙烯烷基胺中的至少一种；所述分散剂包括二甘醇胺、聚乙二醇单辛基苯基醚中的至少一种。8.一种ITO蚀刻液的应用方法，其特征在于，包括以下步骤：将如权利要求1‑6任一项所述的ITO蚀刻液或者根据权利要求7所述的制备方法制得的ITO蚀刻液与表面设有ITO膜的基板接触，以将所述ITO膜蚀刻。9.根据权利要求8所述的应用方法，其特征在于，所述蚀刻的时间为120s‑150s，所述蚀刻的温度为35℃‑45℃。2CN114507527A说明书1/5页一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法技术领域[0001]本申请涉及化学蚀刻技术领域，具体涉及一种ITO蚀刻液及其制备方法、应用方法。背景技术[0002]目前，电子器件的基板表面(例如显示器件的阵列基板)通常带有一定图案的ITO膜，以便后续给电子器件可控通电。该ITO膜通常通过化学蚀刻的方法蚀刻ITO材料层形成。其中，所用蚀刻液主要包括硫酸系、王水系和草酸系ITO蚀刻液。但由于不同晶型的ITO材料的特性略有区别，只有草酸系ITO蚀刻液能够实现对α‑ITO(即，非晶ITO)的蚀刻，而草酸与ITO反应后，会生成难溶的草酸锡和草酸铟，大量的沉淀会影响蚀刻液的蚀刻速率、蚀刻精度和蚀刻的洁净度。发明内容[0003]有鉴于此，本申请提供了一种ITO蚀刻液及其制备、应用方法，该蚀刻液性能稳定、渗透性强，蚀刻精度和蚀刻洁净度高。[0004]具体地，本申请第一方面提供了一种ITO蚀刻液，所述蚀刻液包括以下重量份数的各组分：2‑10份的草酸，0.01‑3份的表面活性剂，0.01‑3份的分散剂，以及水；其中，所述表面活性剂包括聚氧乙烯烷基二胺、聚氧乙烯烷基胺中的至少一种；所述分散剂包括二甘醇胺、聚乙二醇单辛基苯基醚中的至少一种。[0005]草酸的水溶液能将ITO中的氧化锡和氧化铟溶解形成Sn4+、In3+，但这两种离子能与迅速地与体系中