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本申请涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备:衬底,形成着配线;第1半导体元件,覆晶连接于所述衬底;第2半导体元件,设置在所述第1半导体元件上;第1树脂,设置在所述第1半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分;第2树脂,设置在所述第2半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分;及构件,具有比所述第1树脂的热导率及所述第2树脂的热导率大的热导率,设置在所述第1树脂与所述第2树脂之间,且在俯视下,一部分与所述第1半导体元件的上表面重叠并且另一部分与作为所述配线的一部分的第1配线部重叠。