半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
兴朝****45
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半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置.pdf
半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置。提供如下的半导体装置的制造装置:使经由具有导电粒子和热固性粘接剂的各向异性导电胶将多个半导体芯片搭载于基板而成的工件成为可通电状态且可返工状态,由此,能够飞跃性地提高产量。半导体装置的制造装置(1)构成为具有对工件(90)进行加热处理的第1回流炉(3)以及控制部(2),第1回流炉构成为,从入口侧一直到加热区(3b)设置有第1输送机(31),接着,从冷却区(3c)一直到出口侧设置有第2输送机(32),控制部针对第1输送机和第2输送机进行如下控制:将工件搬运到加热区
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时,在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后,进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×10
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本申请涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备:衬底,形成着配线;第1半导体元件,覆晶连接于所述衬底;第2半导体元件,设置在所述第1半导体元件上;第1树脂,设置在所述第1半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分;第2树脂,设置在所述第2半导体元件与所述衬底间的区域的至少一部分;及构件,具有比所述第1树脂的热导率及所述第2树脂的热导率大的热导率,设置在所述第1树脂与所述第2树脂之间,且在俯视下,一部分与所述第1半导体元件的上表面重叠并且另一部分与作为所述配线的一部分的第1配线部重叠。
半导体装置的制造方法、半导体装置.pdf
本发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置。半导体装置将接合后与焊接层一起形成树脂层的焊膏用于半导体芯片的接合中而得到高可信性。如图2的(a)的放大图所示,虽然形成有气泡(100),但气泡(100)难以在焊剂(51)中移动,而是停留在其内部。因此,抑制了构成焊剂(51)的树脂材料飞散。粘度调整剂混合于焊剂(51)中,以使此时的焊剂(51)的粘度约为90~150Pa·s。然后通过固化步骤使焊剂(51)也完全硬化。此时,如图2的(b)所示,在该固化处理时,焊剂(51)硬化的同时收缩,焊剂(51)中的气泡(10
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备基板、设置于基板的半导体芯片、被覆半导体芯片的树脂及设置于树脂的金属膜。金属膜具备第1金属层、设置于第1金属层的第2金属层及设置于第2金属层的第3金属层。第1金属层和第2金属层包含相同的材料。第2金属层的粒径比第1金属层的粒径小、和/或第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率大。