元件芯片的制造方法和电子部件安装结构体的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106560915A(43)申请公布日2017.04.12(21)申请号201610865508.7(22)申请日2016.09.29(30)优先权数据2015-1955202015.10.01JP(71)申请人松下知识产权经营株式会社地址日本国大阪府(72)发明人针贝笃史置田尚吾松原功幸(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人李国华(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称元件芯片的制造方法和电子部件安装结构体的制造方法(57)摘要本发明提供一种元件芯片的制造方法和电子部件安装结构体的制造方法。在将在元件区域形成了元件电极露出的凸部的基板进行分割来制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中，通过蚀刻将基板进行分割后，使元件芯片(10)暴露于第2等离子体(P2)，由此在元件芯片(10)的第2面(10b)、侧面(10c)、空隙部(S)的第1面(10a)，形成由氟碳膜构成的保护膜，接下来使元件芯片(10)暴露于第3等离子体(P3)，由此使形成于空隙部(S)的保护膜的至少一部分残留，去除形成在元件芯片(10)的第2面(10b)、侧面(10c)的保护膜。由此，通过残留的保护膜来抑制安装过程中的导电性材料的爬升。CN106560915ACN106560915A权利要求书1/1页1.一种元件芯片的制造方法，将具备具有由分割区域划分的多个元件区域的第1面和与所述第1面相反一侧的第2面、并且在所述元件区域形成了元件电极露出的凸部的基板，按所述分割区域进行分割来制造多个元件芯片，所述元件芯片的制造方法包括：准备工序，准备在通过使所述凸部接触于载体而在所述第1面与所述载体之间形成了空隙部的状态下，所述基板的所述第1面侧被支承于所述载体，并且形成了耐蚀刻层使得覆盖与所述元件区域对置的所述第2面的区域并且使与所述分割区域对置的所述第2面的区域露出的基板；和等离子体处理工序，在所述准备工序之后，对支承于所述载体的所述基板实施等离子体处理，所述等离子体处理工序包括：分割工序，通过使所述第2面暴露于第1等离子体，从而将未被所述耐蚀刻层覆盖的区域的所述基板蚀刻到在该基板的深度方向上达到所述第1面来将所述基板分割为元件芯片，成为具备所述第1面、所述第2面以及将所述第1面与所述第2面连结的侧面的元件芯片彼此空开间隔保持在所述载体上的状态；保护膜形成工序，在所述分割工序之后，在彼此空开间隔保持在所述载体上的状态下使所述元件芯片暴露于提供保护膜形成用气体的同时产生的第2等离子体，由此在所述元件芯片的所述第2面、所述元件芯片的所述侧面和所述空隙部的所述第1面形成保护膜；和保护膜去除工序，在所述保护膜形成工序之后，在彼此空开间隔保持在所述载体上的状态下使所述元件芯片暴露于提供保护膜蚀刻用气体的同时产生的第3等离子体，由此使形成于所述空隙部的所述保护膜的至少一部分残留，并去除形成于所述元件芯片的所述第2面以及所述侧面的保护膜。2.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜为氟碳膜。3.根据权利要求2所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜形成用气体包含氟化碳。4.一种电子部件安装结构体的制造方法，所述电子部件安装结构体将通过权利要求1至3中任一项所述的元件芯片的制造方法而形成的元件芯片的所述凸部与形成于印刷基板的焊盘电极进行焊料接合而成，所述电子部件安装结构体的制造方法包括：焊料膏剂供给工序，向所述焊盘电极提供膏剂状的焊料；搭载工序，使所述凸部着落于向对应的所述焊盘电极提供的焊料膏剂从而搭载于所述印刷基板；熔融工序，对所述印刷基板进行加热使所述焊料熔融来将所述凸部与焊盘电极进行焊料接合；和冷却工序，对所述印刷基板进行冷却来使熔融了的所述焊料固化，在所述熔融工序中，所述空隙部的所述保护膜抑制熔融了的焊料在所述空隙部中的扩散。2CN106560915A说明书1/7页元件芯片的制造方法和电子部件安装结构体的制造方法技术领域[0001]本发明涉及将具有多个元件区域的基板按照每个元件区域进行分割来制造元件芯片的元件芯片的制造方法以及将该元件芯片安装于基板而成的电子部件安装结构体的制造方法。背景技术[0002]半导体元件等元件芯片从具有多个元件区域的晶片状的基板分割成单片来制造(例如参照专利文献1)。在该专利文献所示的现有技术中，首先在将形成了电路的晶片的表面粘贴于切割带的状态下对晶片的背面进行研磨，再进一步通过蚀刻使晶片变薄。而且之后在与元件区域相当的部分形成抗蚀剂层来进行掩蔽，通过实施等离子体蚀刻，从而将晶片分离成单片的半导体元件。[0003]现有技术文献[0004]专利文