元件结构体的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109892012A(43)申请公布日2019.06.14(21)申请号201880003963.3(74)专利代理机构北京德琦知识产权代理有限公司1(22)申请日2018.02.201018代理人刁兴利王珍仙(30)优先权数据2017-0303162017.02.21JP(51)Int.Cl.H05B33/10(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/3065(2006.01)2019.04.18H01L51/50(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H05B33/04(2006.01)PCT/JP2018/0059532018.02.20(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/155425JA2018.08.30(71)申请人株式会社爱发科地址日本神奈川县(72)发明人清健介青代信高桥明久矢岛贵浩加藤裕子权利要求书1页说明书14页附图8页(54)发明名称元件结构体的制造方法(57)摘要本发明的元件结构体的制造方法包括：树脂材形成工序，在具有凹凸的基板上，以至少凸部的周边比平坦部更厚的方式形成由有机物构成的树脂材；和树脂材蚀刻工序，残留位于所述凸部的周边的一部分所述树脂材，并且去除所述平坦部的该树脂材。在所述树脂材蚀刻工序中，检测对所述树脂材进行蚀刻处理的条件中的特定条件的变化，并且将检测出的检测结果用作该蚀刻处理的终点。CN109892012ACN109892012A权利要求书1/1页1.一种元件结构体的制造方法，包括：树脂材形成工序，在具有凹凸的基板上，以至少凸部的周边比平坦部更厚的方式形成由有机物构成的树脂材；和树脂材蚀刻工序，残留位于所述凸部的周边的一部分所述树脂材，并且去除所述平坦部的该树脂材，在所述树脂材蚀刻工序中，检测对所述树脂材进行蚀刻处理的条件中的特定条件的变化，并且将检测出的检测结果用作该蚀刻处理的终点。2.根据权利要求1所述的元件结构体的制造方法，所述特定条件的变化为施加于所述基板的偏置电压的变化。3.根据权利要求1或2所述的元件结构体的制造方法，进一步包括：无机膜形成工序，在所述树脂材蚀刻工序之后，在残留有所述树脂材的所述基板上形成由无机材料构成的无机材料层。2CN109892012A说明书1/14页元件结构体的制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种元件结构体的制造方法，特别是涉及一种元件结构体和使用元件结构体的制造方法的适当技术，所述元件结构体具有从氧气或水分等中保护器件等的层叠结构。[0002]本申请主张基于2017年2月21日在日本申请的专利申请2017-030316号的优先权，并且在此援引其内容。背景技术[0003]作为包含具有易受水分或氧气等侵害而变差的性质的化合物的元件，例如已知有有机EL(ElectroLuminescence，电致发光)元件等。关于这种元件，尝试通过形成层叠了包含化合物的层和覆盖该层的保护层而成的层叠结构来抑制水分等向元件内侵入。例如，在下述专利文献1中记载了发光元件，该发光元件在上部电极层上具有由无机膜和有机膜的层叠膜构成的保护膜。[0004]专利文献1：日本专利公开2013-73880号公报[0005]然而，对水蒸气等具有阻隔性的无机膜的覆盖特性(台阶(段差)包覆性)比较低，如果在具有器件层的基板表面上存在凹凸，则无机膜无法充分覆盖该凹凸。例如，有可能发生形成在基板表面上的凹凸的边界部未被无机膜覆盖的覆盖不良。如果发生这种无机膜的覆盖不良，则由于无法阻止水分从发生覆盖不良的部位侵入，因此难以确保充分的阻隔性。发明内容[0006]本发明是鉴于上述情况而提出的，想要实现以下至少一个目的。[0007]1、防止薄膜封装中的阻隔特性的下降。[0008]2、能够切实地提高保护膜对水蒸气等的阻隔性。[0009]3、提供一种能够提高对水蒸气的阻隔性的元件结构体和元件结构体的制造方法。[0010]本发明的一方式所涉及的元件结构体的制造方法通过以下方式解决了上述问题：即，该元件结构体的制造方法包括：树脂材形成工序，在具有凹凸的基板上，以至少凸部的周边比平坦部更厚的方式形成由有机物构成的树脂材；和树脂材蚀刻工序，残留位于所述凸部的周边的一部分所述树脂材，并且去除所述平坦部的该树脂材，在所述树脂材蚀刻工序中，检测对所述树脂材进行蚀刻处理的条件中的特定条件的变化，并且将检测出的检测结果用作该蚀刻处理的终点。[0011]在本发明的一方式中，更优选所述特定条件的变化为施加于所述基板的偏置电压的变化。[0012]本发明的一方式可进一步包括：无机膜形成工序，在所述树脂材蚀刻工序之后，在残留有所述树脂材的所述基板上形成由无机材料构成的无机材料层。[0013]根据本发明的一方式所