一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106910674A(43)申请公布日2017.06.30(21)申请号201710120161.8(22)申请日2017.03.02(71)申请人东莞市天域半导体科技有限公司地址523000广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼(72)发明人刘丹孙国胜孔令沂张新河韩景瑞李锡光萧黎鑫(74)专利代理机构广州市南锋专利事务所有限公司44228代理人罗晓聪(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/311(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法(57)摘要本发明公开一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其包括以下步骤：a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡；b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于丙酮中超声波清洗；c、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于加热的由氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡；d、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于加热的由盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡；e、依次用臭氧水、氨水、高纯氮加去离子水分别冲洗SiC外延晶片表面；f、依次用臭氧水、氢氟酸溶液、臭氧水分别冲洗SiC外延晶片表面；g、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，高速旋转甩干。CN106910674ACN106910674A权利要求书1/1页1.一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：该清洗方法包括以下步骤：a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡；b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于丙酮中超声波清洗；c、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于加热的由氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡；d、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于加热的由盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡；e、依次用臭氧水、氨水、高纯氮加去离子水分别冲洗SiC外延晶片表面；f、依次用臭氧水、氢氟酸溶液、臭氧水分别冲洗SiC外延晶片表面；g、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，高速旋转甩干。2.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤a、c、d中，所述的混合洗液均加热至50～150℃。3.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤b、c、d、e、f、g中，在对SiC外延晶片冲洗时，SiC外延晶片均处于高速旋转状态。4.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤e中，在使用高纯氮加去离子水冲洗SiC外延晶片时，采用上下并排倾斜双通道。5.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤f中，所述氢氟酸溶液的浓度为0.1％～2％。6.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤f中，使用氢氟酸溶液冲洗SiC外延晶片表面后，再使用臭氧水冲洗SiC外延晶片表面，使SiC外延晶片表面形成一层氧化膜。7.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤a中，在硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中，硫酸与双氧水的配比为3:1。8.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤c中，在氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中，氨水、双氧水、去离子水的配比为1:1:5。9.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤d中，在盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中，盐酸、双氧水、去离子水的配比为1:1:5。10.根据权利要求1所述的一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其特征在于：于步骤e中，用高纯氮加去离子水冲洗SiC外延晶时，该高纯氮压力值为80psi，去离子水流量为2.5L/min。2CN106910674A说明书1/4页一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法技术领域：[0001]本发明涉及半导体技术领域，特指一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法。背景技术：[0002]碳化硅(SiC)是一种重要的宽禁带半导体材料，SiC是一种性能优异的新一代(第三代)宽禁带半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。SiC半导体材料具有宽带隙、高饱和漂移速度、高热导率、高