晶圆缺陷的检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106971955A(43)申请公布日2017.07.21(21)申请号201710353548.8(22)申请日2017.05.18(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号(72)发明人郭贤权许向辉陈昊瑜(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图5页(54)发明名称晶圆缺陷的检测方法(57)摘要本发明提供一种晶圆缺陷的检测方法，包括：获取晶圆表面的图像，并将所述晶圆表面的图像划分为多个检测区域；在每个所述检测区域内选取多个第一测定区域，并将每个所述检测区域内的第一测定区域进行差异化比对，根据差异化比对的结果获得每个所述检测区域用于表征缺陷的阈值；将每个所述检测区域划分为多个第二测定区域，并将每个所述检测区域内的第二测定区域进行差异化比对后，将差异化比对的结果与对应的检测区域的阈值进行比较，若比较的结果满足预设条件，即获得对应的检测区域上所存在的缺陷。本发明通过给不同检测区域设定不同的阈值，得到与不同检测区域相对应的缺陷数目，使得更多的多晶硅残留缺陷被捕获到，提升了检测的准确度。CN106971955ACN106971955A权利要求书1/2页1.一种晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，包括：获取晶圆表面的图像，并根据晶圆表面所受压力的分布状况，将所述晶圆表面的图像划分为多个检测区域；在每个所述检测区域内选取多个第一测定区域，并将每个所述检测区域内的第一测定区域进行差异化比对，根据差异化比对的结果获得每个所述检测区域用于表征缺陷的阈值；将每个所述检测区域划分为多个第二测定区域，并将每个所述检测区域内的第二测定区域进行差异化比对后，将差异化比对的结果与对应的检测区域的阈值进行比较，若比较的结果满足预设条件，即获得对应的检测区域上所存在的缺陷。2.如权利要求1所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，在每个所述检测区域内选取多个参考区域，每个所述参考区域由多个第一测定区域组成，且所述多个参考区域的中心关于晶圆表面的图像之中心对称分布。3.如权利要求2所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，每个所述检测区域内的第一测定区域的差异化比对结果符合阈值与缺陷数量的函数关系，通过查询阈值与缺陷数量的函数关系得到每个所述检测区域的阈值。4.如权利要求2所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述参考区域为八个。5.如权利要求1所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述阈值为灰度值，所述将每个所述检测区域内的第一测定区域进行差异化比对的过程包括：步骤一：以一个第一测定区域的中心为第一坐标原点，建立第一平面坐标系；步骤二：取与所述一个第一测定区域的中心在同一条直线上且相邻的另一个第一测定区域的中心为第二坐标原点，建立与所述第一平面坐标系方向一致的第二平面坐标系；步骤三：取与所述一个第一测定区域的中心在同一条直线上且相邻的又一个第一测定区域的中心为第三坐标原点，建立与所述第一平面坐标系方向一致的第三平面坐标系，所述一个第一测定区域、所述另一个第一测定区域以及所述又一个第一测定区域的中心连线在同一条直线上；步骤四：在所述一个第一测定区域内取第一像素点，在所述另一个第一测定区域内取第二像素点，在所述又一个第一测定区域内取第三像素点，且所述第一像素点、所述第二像素点以及所述第三像素点在相应坐标系内的坐标相同；步骤五：将所述第一像素点的灰度值分别与所述第二像素点的灰度值以及所述第三像素点的灰度值相减，以得到两个差值；其中，每个所述检测区域内的第一测定区域为三个以上，针对任意三个相邻且中心在同一条直线上的第一测定区域执行步骤一至步骤五，以得到两个以上差值；以根据多个差值获得对应检测区域的阙值。6.如权利要求5所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，根据多个差值获得对应检测区域的阈值的过程包括：取所述多个差值的绝对值，所述多个差值的绝对值所确定的缺陷数量符合阈值与缺陷数量的函数关系，以根据所述阈值与缺陷数量的函数关系，得到所述对应检测区域的阈值。7.如权利要求1所述的晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述阈值为灰度值，所述将每个所述检测区域中的第二测定区域进行差异化比对的过程包括：2CN106971955A权利要求书2/2页步骤一：以一个第二测定区域的中心为第一坐标原点，建立第一平面坐标系；步骤二：取与所述一个第二测定区域的中心在同一条直线上且相邻的另一个第二测定区域的中心为第二坐标原点，建立与所述第一平面坐标系方向一致的第二平面坐标系；步骤三：取与所述一个第二测定区域的中心在同一条直线上且相邻的又一个第二测定区域的中心为第三坐标