消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107065454A(43)申请公布日2017.08.18(21)申请号201710281256.8(22)申请日2017.04.26(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人董立文谷丰(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262代理人张京波曲鹏(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法(57)摘要本发明公开了一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法。消除光刻工艺过程中显影残留的方法包括：直立旋转残留有光刻胶的基板，通过清洗液冲洗基板来去除基板上残留的光刻胶。本发明提供的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，冲洗过程中，基板进行直立旋转，以通过重力及冲洗力的作用下使得残留的光刻胶完全的被冲洗掉，冲洗后的基板上的曝光区域不存在残留的光刻胶，确保了后续蚀刻工艺的正常进行，进而确保了后续制成的薄膜晶体管的性能，并且不会影响产量、关键尺寸和电学性能。CN107065454ACN107065454A权利要求书1/1页1.一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，直立旋转残留有光刻胶的基板，通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶。2.根据权利要求1所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，所述直立旋转残留有光刻胶的基板的步骤包括：垂直布置残留有光刻胶的所述基板，再使所述基板进入显影冲洗单元，然后再直立旋转所述基板。3.根据权利要求2所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，所述垂直布置残留有光刻胶的所述基板，再使所述基板进入显影冲洗单元的步骤包括：在卡盘上垂直固定残留有光刻胶的所述基板，通过所述卡盘带动所述基板进入所述显影冲洗单元。4.根据权利要求2所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，所述直立旋转所述基板的步骤包括：通过电机带动所述基板进行直立匀速旋转。5.根据权利要求2所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，所述通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶的步骤之后，还包括：在所述显影冲洗单元内移出所述基板。6.根据权利要求1所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，所述通过清洗液冲洗所述基板来去除所述基板上残留的光刻胶的步骤包括：所述清洗液在所述基板的斜上方对所述基板进行喷淋冲洗，来去除所述基板上残留的光刻胶。7.根据权利要求6所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，所述清洗液在所述基板的斜上方对所述基板进行喷淋冲洗的步骤中，冲洗喷嘴倾斜布置于所述基板的斜上方，所述清洗液自所述冲洗喷嘴喷出而喷淋在所述基板上。8.根据权利要求1至7中任一项所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，所述清洗液为去离子水。9.根据权利要求1至7中任一项所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板。10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括有如权利要求1至9中任一项所述的消除光刻工艺过程中显影残留的方法。2CN107065454A说明书1/4页消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法技术领域[0001]本文涉及但不限于液晶显示技术，尤指一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法和一种显示面板的制作方法。背景技术[0002]显影后基板上某些特殊的设计结构(如闭环、小孔等)内存在光刻胶残留(因闭环缝隙宽度或小孔口径太小而导致光刻胶不能在显影时被清洗干净而出现部分光刻胶残留在闭环或小孔内的问题)，残留的光刻胶会影响后续的刻蚀工艺(即：不能正常蚀刻，在蚀刻的过程中形成残留和短路等问题)，最终影响TFT薄膜晶体管性能，需要进行显影清洗(目的是去除基板上闭环或小孔等结构内残留的光刻胶)。[0003]目前TFT-LCD显影清洗方式分为两种：水平旋转模式或水平喷淋模式(板面均水平布置)，但是这两种显影清洗方式对于基板上的那些特殊的设计结构(如闭环、小孔等)均不能很好地去除掉其内部残留的光刻胶，而且随着设计要求(如分辨率)的不断提高，基板上线宽设计的越来越窄，水平旋转和水平喷淋清洗方式也很难再将显影后的玻璃清洗干净，存在显影后基板上曝光区域的光刻胶残留的问题。发明内容[0004]为了解决上述技术问题中的至少之一，本文提供了一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法，将基板上残留的光刻胶冲洗干净，避免光刻胶在基板上残留，而且不影响产量、关键尺寸和电学性能。[0005]为了达到本文目的，本发明提供了一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法，直立