显示面板的制作方法和显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113053983A(43)申请公布日2021.06.29(21)申请号202110287217.5(22)申请日2021.03.17(71)申请人昆山国显光电有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路1号4幢(72)发明人金玉陆蕴雷王恩来马明冬张鹏辉黄佳兵(74)专利代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司11659代理人范坤坤(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图8页(54)发明名称显示面板的制作方法和显示面板(57)摘要本发明实施例公开了一种显示面板的制作方法和显示面板，该显示面板的制作方法包括：提供基板；在基板上形成半导体层和多层无机层，其中，无机层分布于显示区和透光区；半导体层分布于显示区，且半导体层设置于无机层之间；在显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层；同时刻蚀过孔位置和透光区，以在过孔位置形成过孔图案，在透光区形成盲孔图案。相对于现有技术，本发明实施例提供的技术方案通过一道刻蚀工艺就能够同时对过孔位置和透光区进行刻蚀，分别形成过孔图案和盲孔图案，能够显示面板在制作过程中，减少在不同位置形成孔区时的刻蚀次数，从而降低刻蚀工艺的繁琐度，进而有利于提高显示面板的制作效率。CN113053983ACN113053983A权利要求书1/2页1.一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有透光区、围绕所述透光区的显示区，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成半导体层和多层无机层；其中所述无机层分布于所述显示区和所述透光区；所述半导体层分布于所述显示区，且所述半导体层设置于所述无机层之间；在所述显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层；同时刻蚀所述过孔位置和所述透光区，以在所述过孔位置形成过孔图案，在所述透光区形成盲孔图案。2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述过孔位置包括不同刻蚀深度的过孔，其中，所述预设厚度由所述半导体层对应的过孔位置和所述透光区的膜层差异参数决定。3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述膜层差异参数包括所述半导体层对应的过孔位置所对应的所述无机层的厚度、所述透光区对应的所述无机层的厚度以及刻蚀速率。4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述显示区对应的过孔位置形成预设厚度的光阻层，包括：在所述无机层远离所述基板一侧涂覆所述光阻层；刻蚀所述光阻层，以使所述过孔位置对应的所述光阻层的厚度为预设厚度，且所述透光区对应的所述光阻层被完全刻蚀。5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法，其特征在于，采用半色调掩膜版刻蚀所述光阻层，所述半色调掩膜版包括全透光区、不透光区和半透光区；所述半透光区对应所述过孔位置，所述全透光区对应所述透光区。6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述半色调掩膜版的所述半透光区的材料为铬金属氧化物，所述不透光区的材料为铬金属。7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，同时刻蚀所述过孔位置和所述透光区，以在所述过孔位置形成过孔图案，在所述透光区形成盲孔图案，包括：在第一刻蚀阶段，刻蚀所述过孔位置对应的所述光阻层，以及刻蚀所述透光区对应的所述无机层；在第二刻蚀阶段，刻蚀所述过孔位置对应的所述无机层，和所述透光区对应的剩余所述无机层。8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比高于所述第一刻蚀阶段的刻蚀气体的刻蚀选择比。9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述多层无机层包括依次叠层设置的缓冲层、栅绝缘层、电容绝缘层和层间电介质层；所述缓冲层包括厚度范围为400～600埃的氮化硅层和厚度范围为2000～2600埃的氧化硅层；所述栅绝缘层为氧化硅层，所述栅绝缘层的厚度范围为1200～1500埃；所述电容绝缘层包括厚度范围为400～600埃的氧化硅层和厚度范围为800～1000埃的氮化硅层；2CN113053983A权利要求书2/2页所述层间介质层包括厚度范围为2000～2300埃的氮化硅层和厚度范围为2500～2800埃的氧化硅层；所述过孔位置对应的所述光阻层的预设厚度的范围为0.1～0.18微米。10.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1‑9任一项所述的显示面板的制作方法进行制备。3CN113053983A说明书1/7页显示面板的制作方法和显示面板技术领域[0001]本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作方法和显示面板。背景技术[0002]主动矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiodes，AMOLED)显示面板凭借其轻薄