一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108389809A(43)申请公布日2018.08.10(21)申请号201810069436.4(22)申请日2018.01.24(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201200上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号(72)发明人王福喜曾林华任昱吕煜坤朱骏张旭升(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人俞涤炯(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法(57)摘要本发明公开了一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，光刻胶回刻蚀工艺的腔体清洗的复机流程包括如下步骤：S1进行腔体清洗；S2对腔体漏率进行检查；S3对腔体进行气体清洗；S4对腔体进行暖机；S5对腔体颗粒和速率进行测试。本发明通过优化腔体清洗后的恢复流程来改善晶圆表面颗粒缺陷的问题，通过在无射频输入及腔体高压力和低压力设置下，使用气体对腔体进行清理，有效地解决了腔体维护后产品边缘容易形成簇状颗粒缺陷的问题，提高了产品品质。从而有效地清除掉静电吸附盘上的残留颗粒，解决了腔体清洗后表面易形成颗粒缺陷的问题。CN108389809ACN108389809A权利要求书1/1页1.一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于，光刻胶回刻蚀工艺的腔体清洗的复机流程包括如下步骤：S1进行腔体清洗；S2对腔体漏率进行检查；S3对腔体进行气体清洗；S4对腔体进行暖机；S5对腔体颗粒和速率进行测试。2.根据权利要求1所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述步骤S3设置为无射频输入。3.根据权利要求2所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述步骤S3包括S31对腔体进行高压清洗；S32对腔体进行低压清洗；S33重复步骤S31和S32的清洗方法清洗腔体。4.根据权利要求3所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述步骤S31中的高压清洗中通入惰性气体进行清洗。5.根据权利要求4所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述惰性气体为氮气和氩气。6.根据权利要求5所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述氮气的通量保持在600-1000sccm。7.根据权利要求5所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述氩气的通量保持在1600-2000sccm。8.根据权利要求5所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述步骤S31中的腔体气压为800-1000mtorr。9.根据权利要求5所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述步骤S32中的腔体气压为0-100mtorr。10.根据权利要求5所述的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，其特征在于：所述步骤S33的重复清洗周期为10-20次。2CN108389809A说明书1/4页一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法技术领域[0001]本发明涉及一种半导体制备工艺，尤其涉及一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法。背景技术[0002]在光刻胶回刻蚀工艺中，目前腔体清洗后的复机流程为：腔体清洗->腔体漏率检查->控片暖机->腔体颗粒与速率测试(如图1)，目前的空片暖机并不能完全的清除静电吸附盘表面在腔体清洗后所残留的颗粒，残留的颗粒容易在产品的边缘形成颗粒缺陷(如图4)，降低产品品质。在光刻胶回刻蚀工艺中，往往在腔体维护(PM)后的前射频(RF)时数<50hrs的情况下产品容易产生晶圆边缘的篱笆异常形貌,跟PM后的复机流程不够优化有关；[0003]目前腔体清洗后的复机流程为：腔体清洗-->腔体漏率检查-->控片暖机-->腔体颗粒与速率测试(如图1)，通过安排PM复机流程实验；通过实验分析原因锁定：腔体PM后的清除能力减弱，搭配当前的控片暖机并不能完全的清除静电吸附盘表面在腔体清洗后所残留的颗粒，残留的颗粒容易在产品的边缘形成颗粒缺陷(如图4)，降低产品品质。发明内容[0004]本发明为解决现有技术中的上述问题提出的一种能清除在产品边缘形成的颗粒缺陷，提高产品品质的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法。[0005]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：[0006]一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，光刻胶回刻蚀工艺的腔体清洗的复机流程包括如下步骤：[0007]S1进行腔体清洗；[0008]S2对腔体漏率进行检查；[0009]S3对腔体进行气体清洗；[0010]S4对腔体进行暖机