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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113871054A(43)申请公布日2021.12.31(21)申请号202111136029.9(22)申请日2021.09.27(71)申请人中国科学院长春应用化学研究所地址130022吉林省长春市朝阳区人民大街5625号(72)发明人吴江谢志元刘鹤(74)专利代理机构长春众邦菁华知识产权代理有限公司22214代理人周蕾(51)Int.Cl.H01B1/22(2006.01)H01B5/14(2006.01)H01B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图1页(54)发明名称一种柔性透明导电薄膜及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种柔性透明导电薄膜及其制备方法,属于光电子学技术领域。本发明提供的柔性透明导电薄膜由聚酰亚胺(PI)和银纳米线(AgNWs)构成,是将AgNWs嵌入PI,并通过自组装层五氟苯硫酚(PFT)对其进行修饰,从而得到高电导率,高透射率,高附着力,表面功函数匹配的柔性透明导电薄膜。本发明制备的柔性透明导电薄膜,经测试薄膜的粗糙度、方块电阻和透光率,结果表明,该方法制备的柔性透明导电薄膜的方阻在20欧姆以下,光透过率(在550纳米处)达到75%以上。将其应用于聚合物薄膜太阳能电池中,取得了与ITO作为电极的器件相当的能量转换效率。CN113871054ACN113871054A权利要求书1/1页1.一种柔性透明导电薄膜,其特征在于,其是由聚酰亚胺(PI)和银纳米线(AgNWs)构成的导电薄膜,所述导电薄膜上修饰有自组装层五氟苯硫酚(PFT)。2.根据权利要求1所述的柔性透明导电薄膜,其特征在于,所述导电薄膜为嵌入了银纳米线的柔性透明导电聚酰亚胺薄膜,其厚度为30微米。3.一种权利要求1所述的柔性透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将玻璃衬底清洗干净并烘干;(2)将上述衬底置于涂膜机的托架上,在其上沉积一层水溶性聚合物薄膜;(3)将步骤(2)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上,通过刮涂方法将AgNWs沉积在水溶性聚合物薄膜上;(4)将步骤(3)所制备好的加工件置于涂膜机的托架上,通过刮涂方法将PI前驱体溶液涂在AgNWs薄膜上;(5)将步骤(4)所制备好的加工件转移到热台上,加热,使PI前驱体溶液发生酰胺化反应,形成PI薄膜;(6)将步骤(5)所制备好的加工件转移到纯水中,待水溶性聚合物薄膜溶解后,将PI薄膜从衬底上撕脱,得到嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜;(7)将步骤(6)所制备好的PI薄膜浸泡在PFT乙醇溶液中,通过控制浸泡时间,得到不同表面功函数的柔性透明导电薄膜。4.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的水溶性聚合物薄膜为(聚(3,4‑乙烯基二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐))薄膜。5.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的水溶性聚合物薄膜的厚度为50纳米。6.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中涂在水溶性聚合物薄膜上的AgNWs薄膜的厚度为60纳米。7.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(5)中加热的条件为180℃加热30分钟。8.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(6)中嵌入了AgNWs的柔性透明导电PI薄膜的厚度为30微米。9.根据权利要求3所述的柔性透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(7)中是将PI薄膜浸泡在1%浓度的PFT乙醇溶液中,浸泡时间为180‑360s。10.根据权利要求9所述的柔性透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,浸泡时间为180s。2CN113871054A说明书1/7页一种柔性透明导电薄膜及其制备方法技术领域[0001]本发明属于光电子学技术领域,具体涉及一种柔性透明导电薄膜及其制备方法。背景技术[0002]随着柔性电子学的发展,对于柔性电极的要求越来越高,尤其在柔性光伏领域,电导率高、光透射率高的柔性电极是实现高性能柔性光伏电池的重要基础。而目前广泛应用的透明电极如铟锡氧化物(ITO)电极,由于自身易脆性,铟成本高等缺点,已经不适合于柔性器件的制备。因此,需要寻找一种可以替代ITO的,成本低廉,电导率和透射率可以与ITO相媲美的柔性导电材料作为电极,替代材料目前常见的有:金属纳米线,碳纳米管,石墨烯,金属格栅等。其中,银纳米线(AgNWs)由于成本相对较低,具有较好的挠曲性和高电导率等优点受到广泛关注。但是,AgNWs制备的导电薄膜存在表面粗糙度较大,与衬底附着力差,表面功函数与活性层不匹配等缺点。发明内容[0003]本发明要解决现有技术中的技术问题,提供一种柔性透明导电薄膜及