一种COA阵列基板制作方法及相应的COA阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107402468A(43)申请公布日2017.11.28(21)申请号201710639390.0(22)申请日2017.07.31(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518000广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人杨立涛谢克成赵赫赵蓉刘泽钦张扬张迎春(74)专利代理机构深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238代理人潘中毅熊贤卿(51)Int.Cl.G02F1/1335(2006.01)G02F1/1362(2006.01)G03F7/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种COA阵列基板制作方法及相应的COA阵列基板(57)摘要本发明提供一种COA阵列基板制作方法及相应的COA阵列基板，其中，制作方法包括：在基板上从下往上依次设置RGB三原色色阻、保护层及光阻；提供一光罩，在对应R色阻的位置开设第一通孔，在对应其他色阻的位置至少开设一个第二通孔，并在所述第二通孔处制作半透膜；采用所述光罩对所述光阻进行曝光和显影；对所述保护层以及被曝光、显影后的光阻进行干刻，在所述保护层上形成与R色阻贯通的透气孔和对应其他色阻位置的透气部。本发明使残留在色阻内的小分子气体，除了通过透气孔排出之外，还可以经由透气部排出，并且透气部位于对应其他色阻的位置，原先距离透气孔较远不易排出的小分子气体便可以通过透气部排出，增加了整体的透气性。CN107402468ACN107402468A权利要求书1/2页1.一种COA阵列基板制作方法，其特征在于，包括：在基板上从下往上依次设置RGB三原色色阻、保护层及光阻；提供一光罩，在对应R色阻的位置开设第一通孔，在对应其他色阻的位置至少开设一个第二通孔，并在所述第二通孔处制作半透膜；采用所述光罩对所述光阻进行曝光和显影；对所述保护层以及被曝光、显影后的光阻进行干刻，在所述保护层上形成与R色阻贯通的透气孔和对应其他色阻位置的透气部。2.根据权利要求1所述的COA阵列基板制作方法，其特征在于，所述在对应其他色阻的位置至少开设一个第二通孔，并在所述第二通孔处制作半透膜，具体包括：在对应G色阻和B色阻的位置分别开设第二通孔；在对应G色阻位置的第二通孔处制作第一半透膜，在对应B色阻位置的第二通孔处制作第二半透膜。3.根据权利要求2所述的COA阵列基板制作方法，其特征在于，所述采用所述光罩对所述光阻进行曝光和显影，具体包括：采用所述光罩对所述光阻进行曝光和显影，对应所述第一通孔位置的光阻被去除，在光阻上形成第三通孔；对应所述第一半透膜和所述第二半透膜处的光阻被部分保留，形成第一残留部和第二残留部。4.根据权利要求3所述的COA阵列基板制作方法，其特征在于，所述对所述保护层以及被曝光、显影后的光阻进行干刻，在所述保护层上形成与R色阻贯通的透气孔和对应其他色阻位置的透气部，具体包括：对所述保护层以及被曝光、显影后的光阻进行干刻，在所述保护层上形成对应所述第三通孔并与R色阻贯通的透气孔、对应所述第一残留部的第一透气部和对应所述第二残留部的第二透气部。5.根据权利要求4所述的COA阵列基板制作方法，其特征在于，所述第一透气部对应于G色阻位置，所述第二透气部对应于B色阻位置，所述第一透气部和所述第二透气部的厚度为200Å-2μm，小于所述保护层上其他位置的厚度。6.一种COA阵列基板，其特征在于，包括：基板；从下往上依次设置在所述基板上的RGB三原色色阻和保护层；在所述保护层上形成有与R色阻贯通的透气孔和对应其他色阻位置的透气部。7.根据权利要求6所述的COA阵列基板，其特征在于，所述透气孔和所述透气部的制作过程是：在所述保护层上设置光阻；提供一光罩，在对应R色阻的位置开设第一通孔，在对应其他色阻的位置至少开设一个第二通孔，并在所述第二通孔处制作半透膜；采用所述光罩对所述光阻进行曝光和显影；对所述保护层以及被曝光、显影后的光阻进行干刻，在所述保护层上形成与R色阻贯通的透气孔和对应其他色阻位置的透气部。2CN107402468A权利要求书2/2页8.根据权利要求7所述的COA阵列基板，其特征在于，所述在对应其他色阻的位置至少开设一个第二通孔，并在所述第二通孔处制作半透膜，具体包括：在对应G色阻和B色阻的位置分别开设第二通孔；在对应G色阻位置的第二通孔处制作第一半透膜，在对应B色阻位置的第二通孔处制作第二半透膜。9.根据权利要求8所述的COA阵列基板，其特征在于，制作所述第一半透膜和所述第二半透膜之后还包括：采用所述光罩对所述光阻进行曝光和显影，对应所述第一通孔位置的光阻被去除，在光阻上形成第三通孔；对应所述第一半透膜和所述第二半透膜处的光阻被部分保留，形成第一残留部和第二残留部；对所述保护层以及