一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107546144A(43)申请公布日2018.01.05(21)申请号201710692556.5(22)申请日2017.08.14(71)申请人英利能源（中国）有限公司地址071051河北省保定市朝阳北大街3399号(72)发明人张晓朋李翠双魏双双张建旗尚琪(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所13120代理人申超平(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)H01L31/18(2006.01)H01L31/0216(2014.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法(57)摘要本发明提供一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，将工艺腔室各单管的硅烷和氨气的比例调整为一致；将工艺腔室第一部分单管的硅烷流量设定为第一流量值，将工艺腔室第二部分单管的硅烷流量设定为第二流量值，将工艺腔室各单管的氨气流量设定为第三流量值；将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室；将盛放硅片的石墨舟在工艺腔室中停留预设时长进行镀膜；将盛放硅片的石墨舟以第二预设速度传出工艺腔室；根据镀膜测量结果确定工艺腔室各单管的镀膜效果。由于盛放硅片的石墨舟可以快速地进入和传出工艺腔室，本发明实施例能够快速地对硅片的镀膜效果进行检测，进而快速判定出影响镀膜效果的因素，可以提高生产效率。CN107546144ACN107546144A权利要求书1/1页1.一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，包括：将工艺腔室各单管的硅烷和氨气的比例调整为一致，所述工艺腔室包括多个单管；将工艺腔室第一部分单管的硅烷流量设定为第一流量值，将工艺腔室第二部分单管的硅烷流量设定为第二流量值，将工艺腔室各单管的氨气流量设定为第三流量值；将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室；将盛放硅片的石墨舟在工艺腔室中停留预设时长，工艺腔室的各单管对所述硅片进行镀膜；将盛放硅片的石墨舟以第二预设速度传出工艺腔室；对所述硅片的镀膜进行测量，并根据镀膜测量结果确定工艺腔室各单管的镀膜效果。2.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室之前，还包括：将所述工艺腔室的微波功率设定为预设功率值；根据预设压力值范围设置所述工艺腔室的压力；根据预设温度值范围设置所述工艺腔室的温度。3.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述对所述硅片的镀膜进行镀膜效果的测量，包括：对所述硅片的镀膜的厚度进行测量；对所述硅片的镀膜的折射率进行测量；根据测量得到的所述硅片的镀膜的厚度和折射率，确定所述硅片的镀膜测量结果。4.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述第一流量值的范围为150标准毫升/分钟～180标准毫升/分钟。5.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述第二流量值的范围为90标准毫升/分钟～110标准毫升/分钟。6.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述工艺腔室中单管的数量为4根、6根或8根。7.根据权利要求6所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，当工艺腔室中单管的数量为6根时，所述第一部分单管为工艺腔室的前3根单管，所述第二部分单管为工艺腔室的后3根单管。8.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，第三流量值的范围为300标准毫升/分钟～350标准毫升/分钟。9.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述第一预设速度的范围和第二预设速度范围均为1500厘米/分钟～2000厘米/分钟。10.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述预设时长为1分30秒～2分30秒。2CN107546144A说明书1/5页一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法技术领域[0001]本发明属于太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法。背景技术[0002]太阳能电池制作过程中，PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)是其中重要的一道工序，其目的是在硅片表面形成一层减反射膜。该反射膜对颜色、膜厚和折射率均有一定的要求。在链式PECVD设备镀膜过程中，由于各单管反应气体或者微薄的不均匀，加上温度、时间的差异，导致电池片颜色差异大，膜厚和折射率不均匀，达不到设计要求，从而影响电池转换效率，因此亟需一种判定影响镀膜效果的检测方法。[0003]目前传统的对镀膜效果进行检测的主要方式是：凭借经验对设备进