一种LED支架及其发光器件.pdf
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一种LED支架及其发光器件.pdf
本发明提供一种用于封装倒装芯片的LED支架,包括导电导热基层,所述导电导热基层分隔为正极板块及负极板块;所述导电导热基层的用于与所述封装芯片相连接的芯片连接表面暴露在外界,其它的表面上设置有非金属不导电反光层;所述正极板块与负极板块之间设置有非金属不导电反光材料块。通过上述结构,避免了助焊剂与金属反光层的接触,从而极大改善助焊剂残留镀银层带来的可靠性及亮度下降的问题;而通过非金属不导电反光块的顶面与倒装芯片1的底面之间的距离大于非金属不导电反光材料块32在25℃~300℃膨胀的厚度,改善了因非金属不导电反
一种LED发光器件制备方法及LED发光器件.pdf
本发明提供了一种LED发光器件制备方法及LED发光器件,所述制备方法包括以下步骤:提供一衬底;对衬底的一端面进行抛光、清洗处理,以使在衬底上形成一抛光面;在抛光面上制备黏附层,并将若干发光芯片组贴附在黏附层上;在若干发光芯片组上填充固晶材料,以使在发光芯片组上形成固晶层,并对固晶层进行刻蚀处理以露出发光芯片组的连接电极;在固晶层上制备布线层,以调整若干发光芯片组的正负极,并在布线层上制备保护层,并对保护层进行刻蚀处理以露出若干发光芯片组的正负极,得到中间LED发光器件;对衬底远离抛光面的另一端面进行减薄处
一种功率型三维LED发光器件及其制造方法.pdf
一种功率型三维LED发光器件,包括LED芯片和散热基板,所述LED芯片的反射层上设有贯穿反射层、透明导电层、p型掺杂的GaN或AlGaN半导体层和多量子阱层,且盲端位于n型掺杂的GaN或AlGaN半导体层的盲孔;所述反射层上分开设有嵌入式n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极,嵌入式n型欧姆接触电极包括嵌入式n型欧姆接触电极层和用于填充盲孔的n型欧姆接触电极柱;所述散热基板上设有若干个导电导热通孔,导电导热通孔中填充有导电导热金属孔芯;所述嵌入式n型欧姆接触电极层和p型欧姆接触电极焊接于导电导热金属孔芯上。本
LED电子器件的制作方法、LED电子器件及发光器件.pdf
一种LED电子器件的制作方法、LED电子器件及发光器件,该LED电子器件的制作方法包括:在介质基板的一面生成第一线路层;对第一线路层填充正光阻,并将正光阻按照预设光罩进行图形化处理;对图形化处理后的正光阻填充介电材料;去除残留在第一线路层的正光阻,以获得用于绑定LED芯片的第一线路层裸露位置;以及在第一线路层裸露位置绑定LED芯片并进行封装。本发明技术方案将LED芯片集成封装在LED电子器件内部,进而控制芯片发光,发光器件内部只需封装微型LED电子器件即可实现LED的全彩显示,较大缩减了发光器件的尺寸空间
一种LED紫光整面Al反射的发光器件.pdf
本发明公开了一种LED紫光整面Al反射的发光器件,包含发光外延支撑基板、金属结构、发光外延结构和CVD透明介质层;金属结构包含导电层、反射层、欧姆接触层和键合层;反射层采用Al反射层,做整面的反射层;发光外延结构从上到下依次包括n型半导体层、发光层和p型半导体层;CVD透明介质层作为金属结构和发光外延结构的保护层;在n型半导体层上面镀上导电层,在p型半导体层下面镀上欧姆接触层,透明的欧姆接触层下面镀上整面的Al反射层,并通过键合层与基板键合在一块。本发明解决了Ag在紫外波段反射率低和Ag反射层面积较小等问