一种LED发光器件制备方法及LED发光器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115911020A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211503837.9H01L33/44(2010.01)(22)申请日2022.11.29H01L33/48(2010.01)H01L33/54(2010.01)(71)申请人江西兆驰半导体有限公司H01L33/62(2010.01)地址330096江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号(72)发明人汪恒青张星星林潇雄胡加辉金从龙(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201专利代理师何世磊(51)Int.Cl.H01L25/075(2006.01)C23C14/06(2006.01)C23C14/10(2006.01)C23C14/24(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称一种LED发光器件制备方法及LED发光器件(57)摘要本发明提供了一种LED发光器件制备方法及LED发光器件，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底；对衬底的一端面进行抛光、清洗处理，以使在衬底上形成一抛光面；在抛光面上制备黏附层，并将若干发光芯片组贴附在黏附层上；在若干发光芯片组上填充固晶材料，以使在发光芯片组上形成固晶层，并对固晶层进行刻蚀处理以露出发光芯片组的连接电极；在固晶层上制备布线层，以调整若干发光芯片组的正负极，并在布线层上制备保护层，并对保护层进行刻蚀处理以露出若干发光芯片组的正负极，得到中间LED发光器件；对衬底远离抛光面的另一端面进行减薄处理，并在减薄处理后的端面上制备增透膜，得到目标LED发光器件。CN115911020ACN115911020A权利要求书1/1页1.一种LED发光器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；对所述衬底的一端面进行抛光、清洗处理，以使在所述衬底上形成一抛光面；在所述抛光面上制备黏附层，并将若干发光芯片组贴附在所述黏附层上；在若干所述发光芯片组上填充固晶材料，以使在所述发光芯片组上形成固晶层，并对所述固晶层进行刻蚀处理以露出所述发光芯片组的连接电极；在所述固晶层上制备布线层，以调整若干所述发光芯片组的正负极，并在所述布线层上制备保护层，并对所述保护层进行刻蚀处理以露出若干所述发光芯片组的正负极，得到中间LED发光器件；对所述衬底远离所述抛光面的另一端面进行减薄处理，并在减薄处理后的端面上制备增透膜，得到目标LED发光器件。2.根据权利要求1所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述增透膜由Al2O3层、MgF2层、SiO2层、H4层、SiNa层中的一层或多层构成，其中1.3≤a≤2。3.根据权利要求2所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，多层结构的所述增透膜的各层折射率沿远离所述衬底的方向逐渐减小。4.根据权利要求2或3所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述增透膜的制备步骤为：将所述中间LED发光器件转移至真空腔中，并对所述真空腔进行抽真空处理；在所述真空腔内的真空度小于第一预设真空度时，在所述真空腔内对所述中间LED发光器件进行清洗；将清洗后的所述中间LED发光器件转移至蒸镀腔内，在所述蒸镀腔内的真空度小于第二预设真空度时，在蒸镀腔内将所述增透膜蒸镀至所述衬底的另一端面上。5.根据权利要求4所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述第一预设真空度为1×10^‑5Torr，所述第二预设真空度为3×10^‑3Torr。6.根据权利要求4所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述中间LED发光器件的清洗时间为8‑10min。7.根据权利要求4所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述增透膜包括SiO2层和MgF2层，所述SiO2层蒸镀在所述衬底的另一端面上，所述MgF2层蒸镀在所述SiO2层的端面上。8.根据权利要求7所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述SiO2层的折射率为1.5‑1.7。9.根据权利要求4所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述增透膜的蒸镀时间为1h‑5h。10.一种LED发光器件，其特征在于，由权利要求1‑9任意一项所述的LED发光器件制备方法制得，所述LED发光器件包括依次叠设在衬底一端面上的黏附层、若干发光芯片组、固晶层、布线层、保护层以及设于所述衬底另一端面上的增透膜。2CN115911020A说明书1/7页一种LED发光器件制备方法及LED发光器件技术领域[0001]本发明涉及半导体LED技术领域，具体涉及一种LED发光器件制备方法及LED发光器件。背景技术[0002]显示屏就是由若干个可组合拼接的显示单元构成的屏体，LED显示屏是直接透过RGB三色LED来混色的，红、绿、蓝三基色，256级灰度的全彩色显示屏可以显示一千六百多万