LED电子器件的制作方法、LED电子器件及发光器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114664674A(43)申请公布日2022.06.24(21)申请号202011555717.4(22)申请日2020.12.23(71)申请人佛山市国星光电股份有限公司地址528000广东省佛山市禅城区华宝南路18号(72)发明人张普翔秦快蒋纯干郭恒冯飞成欧阳小波莫华莲(74)专利代理机构深圳市世联合知识产权代理有限公司44385专利代理师汪琳琳(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L25/16(2006.01)H01L33/48(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书2页说明书8页附图12页(54)发明名称LED电子器件的制作方法、LED电子器件及发光器件(57)摘要一种LED电子器件的制作方法、LED电子器件及发光器件，该LED电子器件的制作方法包括：在介质基板的一面生成第一线路层；对第一线路层填充正光阻，并将正光阻按照预设光罩进行图形化处理；对图形化处理后的正光阻填充介电材料；去除残留在第一线路层的正光阻，以获得用于绑定LED芯片的第一线路层裸露位置；以及在第一线路层裸露位置绑定LED芯片并进行封装。本发明技术方案将LED芯片集成封装在LED电子器件内部，进而控制芯片发光，发光器件内部只需封装微型LED电子器件即可实现LED的全彩显示，较大缩减了发光器件的尺寸空间，节省了发光器件的制作材料。CN114664674ACN114664674A权利要求书1/2页1.一种LED电子器件的制作方法，其特征在于，包括：在介质基板的一面生成第一线路层；对所述第一线路层填充正光阻，并将所述正光阻按照预设光罩进行图形化处理；对图形化处理后的正光阻填充介电材料；去除残留在所述第一线路层的正光阻，以获得用于绑定LED芯片的第一线路层裸露位置；以及在所述第一线路层裸露位置绑定LED芯片并进行封装。2.如权利要求1所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，还包括：所述第一线路层为第一铜线路层，所述正光阻为光敏性正性光刻胶；在所述介质基板的一面设置金属线路层，对所述金属线路层填充负光阻，并将所述负光阻按照预设光罩进行图形化处理形成相应的抗腐蚀掩膜，根据所述相应的抗腐蚀掩膜对所述金属线路层进行腐蚀；去除残留在所述金属线路层的负光阻，以获得相应形状的第一线路层；其中，所述负光阻为光敏性负性光刻胶。3.如权利要求1所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，所述正光阻的填充厚度为所述绑定LED芯片的第一线路层厚度的2‑2.5倍，所述介电材料的填充厚度与所述正光阻的填充厚度一致。4.如权利要求1所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，所述对所述第一线路层裸露位置绑定LED芯片进行封装的封装胶表面与所述填充介电材料的表面持平。5.如权利要求1至4任意一项所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，还包括：在所述介质基板的另一面设置金属线路层，对所述金属线路层填充负光阻，并将所述负光阻按照预设光罩进行图形化处理形成相应的抗腐蚀掩膜，根据所述相应的抗腐蚀掩膜对所述金属线路层进行腐蚀；去除残留在所述金属线路层的负光阻，以获得相应形状的第二线路层。6.如权利要求5所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，所述根据所述相应的抗腐蚀掩膜对金属线路层进行腐蚀的腐蚀液为铜蚀刻液，所述铜蚀刻液包括氯化铁溶液、酸性氯化铜溶液或者碱性氯化铜溶液。7.如权利要求5所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，还包括：对所述第二线路层的相应位置进行金属生长，形成一定高度的至少一个线路柱并在所述线路柱的顶部形成焊盘；对形成焊盘的线路层填充介电材料，所述介电材料的填充高度与所述线路柱的顶部形成焊盘的表面持平。8.如权利要求7所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，所述线路柱的厚度为所述介质基板的厚度的0.3‑0.5倍。9.如权利要求1所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，所述介质基板包括基片、主线路层和薄膜保护层，所述主线路层分别附设于所述基片的上下表面，所述薄膜保护层分别附设于所述主线路层表面。10.如权利要求10所述的LED电子器件的制作方法，其特征在于，所述第一线路层和所述第二线路层在所述薄膜保护层上通过通孔与所述主线路层导通。2CN114664674A权利要求书2/2页11.一种LED电子器件，其特征在于，采用如权利要求1至10任意一项所述的LED器件的制作方法制备，所述LED电子器件包括：基片，具有第一表面和第二表面；主线路层，分别设置在所述基片上的第一表面和第二表面；薄膜保护层，分别设置在所述主线路层表面；线路层，分别设置于所述第一表面的薄膜保护层表面和/或所述第二表面的薄膜保护层表面；其中，所述线路层具有裸露位置；LED芯片，绑定于所述线路