一种LED紫光整面Al反射的发光器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112366265A(43)申请公布日2021.02.12(21)申请号202011231367.6(22)申请日2020.11.06(71)申请人河源市天和第三代半导体产业技术研究院地址517000广东省河源市高新区高新二路163号创业服务中心314-1室(72)发明人李国强(74)专利代理机构广州容大知识产权代理事务所(普通合伙)44326代理人潘素云(51)Int.Cl.H01L33/46(2010.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种LED紫光整面Al反射的发光器件(57)摘要本发明公开了一种LED紫光整面Al反射的发光器件，包含发光外延支撑基板、金属结构、发光外延结构和CVD透明介质层；金属结构包含导电层、反射层、欧姆接触层和键合层；反射层采用Al反射层，做整面的反射层；发光外延结构从上到下依次包括n型半导体层、发光层和p型半导体层；CVD透明介质层作为金属结构和发光外延结构的保护层；在n型半导体层上面镀上导电层，在p型半导体层下面镀上欧姆接触层，透明的欧姆接触层下面镀上整面的Al反射层，并通过键合层与基板键合在一块。本发明解决了Ag在紫外波段反射率低和Ag反射层面积较小等问题，在很大程度上提高了LED半导体器件光通量，而且杜绝了Ag迁移，导致芯片失效问题。CN112366265ACN112366265A权利要求书1/1页1.一种LED紫光整面Al反射的发光器件，其特征在于，包含发光外延支撑基板、金属结构、发光外延结构和CVD透明介质层；所述发光外延支撑基板由导电、导热性能好的材料构成；所述金属结构包含导电层、反射层、欧姆接触层和键合层；反射层采用Al反射层，做整面的反射层；所述发光外延结构从上到下依次包括n型半导体层、发光层和p型半导体层；所述CVD透明介质层作为金属结构和发光外延结构的保护层；在发光外延结构的n型半导体层上面镀上导电层，在p型半导体层下面镀上欧姆接触层，透明的欧姆接触层下面镀上整面的Al反射层，并通过键合层与发光外延支撑基板键合在一块。2.根据权利要求1所述的LED紫光整面Al反射的发光器件，其特征在于，所述发光外延支撑基板为硅片、铜钨基板或钼基板。3.根据权利要求1所述的LED紫光整面Al反射的发光器件，其特征在于，所述导电层由Cr、Pt、Au、Ni、Al两种或者多种金属组合而成。4.根据权利要求1所述的LED紫光整面Al反射的发光器件，其特征在于，所述欧姆接触层由Ni/Au、铟锡氧化物、掺杂的ZnO形成低阻值接触物质层。5.根据权利要求4所述的LED紫光整面Al反射的发光器件，其特征在于，掺杂的ZnO为Al/In/Ga参杂。6.根据权利要求1所述的LED紫光整面Al反射的发光器件，其特征在于，所述键合层由Au、Sn、Ni多种金属共晶而成。7.根据权利要求1所述的LED紫光整面Al反射的发光器件，其特征在于，所述CVD透明介质层选用SiO2或者SiNx。2CN112366265A说明书1/3页一种LED紫光整面Al反射的发光器件技术领域[0001]本发明涉及发光器件技术领域，具体涉及一种LED紫光整面Al反射的发光器件。背景技术[0002]紫外线覆盖波长范围为100nm～400nm。一般UVA的波长范围指400～315nm；UVB的波长范围指315～280nm；UVC的波长范围指280～100nm。紫外线发光二极管可以发出紫外范围的光(从100-400nm)，但是实际在365nm波长以下，发光效率非常有限。在365nm波长其发光效率在5～8％，在395nm波长接近20％，较长波段的紫外线发光效率比较好。这些紫外线发光二极管应用于紫外线固化材料,光催化净化空气器,伪钞鉴定,光线疗法,白光二极发光管和日光浴机。同时，UVC有着杀菌紫外线，可以有效应用于消毒和杀菌，净化水,和医疗中有一系列的应用。所以提升紫外线发光二极管光通量技术发展对紫外线发光二极管未来应用领域影响重大。[0003]在LED半导体器件中，常常以Ag作为反射层，以此增加半导体的光通量，因为Ag的金属活泼性较大，容易出现Ag迁移问题，故Ag不能外漏，需要被其他金属或CVD包覆。因而反射层面积不会超过芯片GaN的面积。另外在紫光波段内，Ag的吸光效率高，在一定程度上影响发光器件的出光量。发明内容[0004]有鉴于此，本发明针对Ag在紫外波段反射率效率低、反射面积较小等问题，提出了一种LED紫光整面Al反射的发光器件。[0005]本发明通过以下技术手段解决上述问题：[0006]一种LED紫光整面Al反射的发光器件，包含发光外延支撑基板、金属结构、发光外延结构和CVD透明介质层；[0007]所述发光外延支撑基板由导电、导热性能好的材料构成；[0