晶圆切割方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107871707A(43)申请公布日2018.04.03(21)申请号201610980207.9(22)申请日2016.11.08(30)优先权数据1051306942016.09.23TW(71)申请人颀邦科技股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市东区力行五路3号(72)发明人涂家荣陈志隆廖文祥魏忠祥刘永吉(74)专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019代理人寿宁张华辉(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图8页(54)发明名称晶圆切割方法(57)摘要本发明公开一种晶圆切割方法，其包含提供晶圆及进行切割步骤及触压步骤，该晶圆具有多个晶粒及金属层，该金属层形成于相邻两个该晶粒之间的切割道，在该切割步骤中，以刀具沿着该切割道切割该金属层，使该晶圆形成多个切割槽，且经切割的该金属层残留有多个金属残留段于上述多个晶粒，在该触压步骤中，以刷具沿着该切割槽触压上述多个金属残留段，以避免各该金属残留段凸出于各该晶粒的表面。CN107871707ACN107871707A权利要求书1/1页1.一种晶圆切割方法，其特征在于，其包含：提供晶圆，该晶圆具有多个晶粒及金属层，各该晶粒具有表面，相邻两个该晶粒之间具有切割道，该金属层形成于该切割道；以及进行切割步骤及触压步骤，在该切割步骤中是以刀具沿着该切割道切割该金属层，使该晶圆形成多个切割槽，且经切割的该金属层残留有多个金属残留段于上述多个晶粒，在该触压步骤中是以刷具的接触部沿着该切割槽触压各该金属残留段，以避免各该金属残留段凸出于各该晶粒的该表面。2.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中当该刷具的该接触部触压各该金属残留段时，各该金属残留段断离该晶粒或弯折至该切割槽中。3.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该切割步骤及该触压步骤为同时进行。4.如权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中沿着该刀具的切割方向，该刷具的该接触部设置于该刀具后方，且该刀具与该接触部位于相同切割道。5.如权利要求3所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中沿着该刀具的切割方向，该刷具的该接触部设置于该刀具侧边，且该刀具与该接触部位于不同切割道。6.如权利要求5所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该刷具的该接触部与该刀具之间至少间隔一个切割道。7.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该触压步骤在该切割步骤完成后进行。8.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该晶圆设置于载台的承载面，该刀具具有末端，该末端与该承载面之间具有第一高度，该刷具的该接触部具有接触端，该接触端与该承载面之间具有第二高度，在进行该切割步骤及该触压步骤前，该第一高度不小于该第二高度。9.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，其中该刷具的该接触部由软性材料制成，该接触部在该触压步骤中抵触各该晶粒的该表面及该切割槽，而产生形变。2CN107871707A说明书1/4页晶圆切割方法技术领域[0001]本发明是关于一种晶圆切割方法，特别是一种可避免金属残留段凸出于晶粒表面的晶圆切割方法。背景技术[0002]请参阅图11，现有习知的晶圆切割方法是先将晶圆400以胶带500固定于载台600上，接着利用刀具(图中未绘出)切割该晶圆400以形成多个芯片410，然而在切割过程中，会形成许多凸出于该芯片410表面的金属残留段411，请参阅图12，当以覆晶技术使该芯片410与基板700上的多个凸块710连接时(该基板700可为软性基板、玻璃基板或其他材质的基板)，凸出于该芯片410表面的上述多个金属残留段411会碰触到该基板700，而导致半导体结构发生漏电或短路，或是影响电子信号的输入或输出。发明内容[0003]本发明的主要目的在于藉由刷具触压因切割金属层而形成的金属残留段，以避免金属残留段凸出于晶粒表面。[0004]本发明解决其技术问题还可以采用以下技术方案来实现。[0005]本发明的一种晶圆切割方法，其包含：提供晶圆，该晶圆具有多个晶粒及金属层，各该晶粒具有表面，相邻两个该晶粒之间具有切割道，该金属层形成于该切割道；以及进行切割步骤及触压步骤，在该切割步骤中是以刀具沿着该切割道切割该金属层，使该晶圆形成多个切割槽，且经切割的该金属层残留有多个金属残留段于上述多个晶粒，在该触压步骤中是以刷具的接触部沿着该切割槽触压各该金属残留段，以避免各该金属残留段凸出于各该晶粒的表面。[0006]本发明解决其技术问题还可以采用以下技术措施来实现。[0007]上述的晶圆切割方法，其中当该刷具的该接触部触压各该金属残留段时，各该金属残留段断离该晶粒或弯折至该切割槽中。[0008]上述的