晶圆切割方法.pdf
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相关资料
晶圆切割方法.pdf
一种晶圆切割方法,包括:获得待切割晶圆,待切割晶圆包括隔离层及位于隔离层上的半导体器件层,待切割晶圆包括切割道区域;从隔离层背向半导体器件层的一侧对切割道区域的隔离层进行第一切割,形成贯穿隔离层的第一切割槽;从半导体器件层背向隔离层的一侧,对第一切割槽位置处的半导体器件层进行第二切割,形成贯穿待切割晶圆的切割道,并获得多个分立的芯片。本发明在进行第一切割时,半导体器件层能够对隔离层提供支撑力,从而减小第一切割槽位置处的崩边开口的横向尺寸,相应的,在完成第二切割后,切割道位置处的崩边开口的横向尺寸也较小,从
晶圆切割方法.pdf
本发明公开一种晶圆切割方法,其包含提供晶圆及进行切割步骤及触压步骤,该晶圆具有多个晶粒及金属层,该金属层形成于相邻两个该晶粒之间的切割道,在该切割步骤中,以刀具沿着该切割道切割该金属层,使该晶圆形成多个切割槽,且经切割的该金属层残留有多个金属残留段于上述多个晶粒,在该触压步骤中,以刷具沿着该切割槽触压上述多个金属残留段,以避免各该金属残留段凸出于各该晶粒的表面。
晶圆的切割方法.pdf
一种晶圆的切割方法,包括:提供待切割晶圆;对所述晶圆进行激光切割,直至所述晶圆被贯穿,所述激光切割包括n阶段切割步骤,所述n阶段切割步骤中的第i阶段切割步骤的功率大于第i?1阶段切割步骤的功率,所述1<i≤n,n为大于等于2的自然数。本发明实施例提供的晶圆的切割方法,调整不同阶段激光切割的功率,可以减小切割前期溅射到晶圆表面的高温硅屑,降低在晶圆表面造成的热影响区域,提高晶圆良率。
晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法.pdf
本发明提供了一种晶圆片激光切割方法,其包括如下步骤:提供一晶圆片,所述晶圆片具有正面及带有电极的背面,所述晶圆片的背面具有切割道;于所述晶圆片背面贴膜;将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中,所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。通过在晶圆片的同一个切割道内,不同的深度进行两次激光加工,大大改善了激光切割厚的晶圆片造成斜裂不良的问题,有效地避免了激光切割斜裂过大而造成的电极破坏。对传统的单次激光切割具有相当大的优势和良率。本发明还提供一
一种晶圆的切割方法.pdf
本申请属于晶圆切割加工技术领域,提出了一种晶圆的切割方法,能够有效解决传统晶圆切割方式易导致晶圆背面产生毛边和裂缝,对芯片的性能影响较大的问题。本申请提供的晶圆的切割方法中,该晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面,第一表面上设置有多个芯片的电路结构,该方法包括在第一表面上,沿各个芯片的电路结构之间的间隙,按照预设切割厚度切割晶圆;其中,预设切割厚度是根据芯片的目标厚度设置的;沿第二表面对所述晶圆进行减薄处理,直至晶圆的厚度与目标厚度一致,得到多个芯片。