一种晶圆的切割方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115020339A(43)申请公布日2022.09.06(21)申请号202210561360.3(22)申请日2022.05.23(71)申请人深圳米飞泰克科技股份有限公司地址518000广东省深圳市龙岗区宝龙街道清风大道28号安博科技厂区1号厂房1、5、6层(72)发明人赖辰辰李天文栗伟斌王英广李安平(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司44414专利代理师李佳(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)H01L21/304(2006.01)B24B1/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称一种晶圆的切割方法(57)摘要本申请属于晶圆切割加工技术领域，提出了一种晶圆的切割方法，能够有效解决传统晶圆切割方式易导致晶圆背面产生毛边和裂缝，对芯片的性能影响较大的问题。本申请提供的晶圆的切割方法中，该晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有多个芯片的电路结构，该方法包括在第一表面上，沿各个芯片的电路结构之间的间隙，按照预设切割厚度切割晶圆；其中，预设切割厚度是根据芯片的目标厚度设置的；沿第二表面对所述晶圆进行减薄处理，直至晶圆的厚度与目标厚度一致，得到多个芯片。CN115020339ACN115020339A权利要求书1/1页1.一种晶圆的切割方法，所述晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有多个芯片的电路结构，其特征在于，所述方法包括：在所述第一表面上，沿各个所述芯片的电路结构之间的间隙，按照预设切割厚度切割所述晶圆；其中，所述预设切割厚度是根据芯片的目标厚度设置的；沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理，直至所述晶圆的厚度与所述目标厚度一致，得到所述多个芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在所述第一表面上，沿各个所述芯片的电路结构之间的间隙，按照预设切割厚度切割所述晶圆之后，在所述沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理之前，所述方法还包括：在所述第一表面上设置固定膜，所述固定膜用于固定所述第一表面上各个所述芯片的电路结构之间的相对位置关系。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述固定膜包括保护胶膜。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理之后，所述方法还包括：在所述第二表面上设置划片膜，所述划片膜用于固定所述多个芯片。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理之后，所述方法还包括：剥离所述第一表面上的固定膜。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述剥离所述第一表面上的固定膜，包括：对所述第一表面上的保护胶膜进行解胶；解胶完成后，从所述第一表面上剥离所述保护胶膜。7.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在于，所述沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理，包括：沿所述第二表面，对所述晶圆进行研削；对研削完成后的所述第二表面进行抛光处理。8.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在于，在所述沿所述第二表面对所述晶圆进行减薄处理，直至所述晶圆的厚度与所述目标厚度一致，得到所述多个芯片之后，所述方法还包括：对所述多个芯片进行质量检测。9.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在于，所述预设切割厚度为0‑70微米。10.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在于，所述预设切割厚度大于或等于所述多个芯片中每个芯片的厚度，且所述预设切割厚度小于所述晶圆厚度。2CN115020339A说明书1/6页一种晶圆的切割方法技术领域[0001]本申请属于晶圆切割加工技术领域，尤其涉及一种晶圆的切割方法。背景技术[0002]晶圆也称作硅晶片，通过在晶圆表面设置芯片的电路结构(如晶体管等)，能够制造出芯片等电路元件。为了节约制造成本和提高制造效率，在大批量生产中往往在同一晶圆上设置多个(如500个)芯片的电路结构，然后再沿着各个相邻电路结构的间隙切割晶圆，即可基于同一个晶圆获得多个芯片。[0003]目前，在切割晶圆的过程中，多采用水刀切割加工的方式进行切割分离。然而该种方法在切割处理时，通常是从晶圆上设置有芯片的电路结构的一面(即晶圆正面)切割至晶圆未设置有电路结构的一面(也即晶圆背面)，直至完全切断，从而分离基于该晶圆制造的各个芯片。然而，该种切割方式容易导致晶圆背面产生毛边和裂缝，对芯片的性能影响较大。也就是说，在该晶圆切割方式下，晶圆的切割品质不佳。发明内容[0004]有鉴于此，本申请实施例提供了一种晶圆的切割方法，以解决现有技术中传统晶圆切割方式易导致晶圆背面产生毛边和裂缝，对芯片的性能影响较大的问题。[0005]本申请实施例提供了一种晶圆的切割方法，该晶圆包括相对设置的