一种半导体芯片的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107946178A(43)申请公布日2018.04.20(21)申请号201711171487.X(22)申请日2017.11.22(71)申请人奕铭（大连）科技发展有限公司地址116000辽宁省大连市高新技术产业园区广贤路107号(72)发明人孙兴宁(74)专利代理机构盘锦大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙)21244代理人徐淑东崔雪(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称一种半导体芯片的清洗方法(57)摘要本发明涉及半导体工艺领域，提供一种半导体芯片的清洗方法，包括：将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗，以去除杂质，所述有机溶剂清洗过程中，加载有超声波；对芯片进行热处理，以使有机溶剂残留物挥发；热处理后冷却；加水至沸腾，水蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物，落回到加热槽，之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至芯片清洗干净为止。本发明能够有效彻底清洗芯片表面。CN107946178ACN107946178A权利要求书1/1页1.一种半导体芯片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗，以去除杂质，所述有机溶剂清洗过程中，加载有超声波；对芯片进行热处理，以使有机溶剂残留物挥发；热处理后冷却；加水至沸腾，水蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物，落回到加热槽，之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至芯片清洗干净为止。2.根据权利要求1所述的半导体芯片的清洗方法，其特征在于，还包括对芯片进行干燥处理。3.根据权利要求1所述的半导体芯片的清洗方法，其特征在于，所述有机溶剂是胺碱。4.根据权利要求1所述的半导体芯片的清洗方法，其特征在于，有机溶剂清洗过程中，有机溶剂的温度范围为50℃～80℃。5.根据权利要求1所述的半导体芯片的清洗方法，其特征在于，有机溶剂清洗过程中，待清洗的芯片在有机溶剂中清洗时间为5-30分钟。2CN107946178A说明书1/2页一种半导体芯片的清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种半导体芯片的清洗方法。背景技术[0002]由于科技的日新月异，半导体芯片已愈朝微小化加以发展，而芯片多半是具有不同的功效的电子组件，这些电子组件通常是使用焊锡加以焊接在设有电子回路的基板上，这样可使电子组件正常的运作，然而由于电子组件的微小化，芯片生产过程中产生的杂质会严重影响芯片的质量。因此，去除芯片生产过程中的杂质就是十分必要的。发明内容[0003]本发明针对上述问题，提出一种半导体芯片的清洗方法，能够有效彻底清洗芯片表面的杂质，提高了芯片的质量，提高了成品率。[0004]本发明提供了一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：[0005]将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗，以去除杂质，所述有机溶剂清洗过程中，加载有超声波；[0006]对芯片进行热处理，以使有机溶剂残留物挥发；[0007]热处理后冷却；[0008]加水至沸腾，水蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物，落回到加热槽，之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至芯片清洗干净为止。[0009]进一步的，还包括对芯片进行干燥处理。[0010]进一步的，所述有机溶剂是胺碱。[0011]进一步的，有机溶剂清洗过程中，有机溶剂的温度范围为50℃～80℃。[0012]进一步的，有机溶剂清洗过程中，待清洗的芯片在有机溶剂中清洗时间为5-30分钟。[0013]本发明提供的一种半导体芯片的清洗方法，方法简单易行，能够有效彻底清洗芯片表面的杂质，提高了芯片的质量，提高了成品率，大大的降低了生产成本。具体实施方式[0014]为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。[0015]实施例1[0016]一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：[0017]将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗，以去除杂质，所述有机溶剂清洗过程中，加载有超声波；3CN107946178A说明书2/2页[0018]对芯片进行热处理，以使有机溶剂残留物挥发；[0019]热处理后冷却；[0020]加水至沸腾，水蒸汽上升，在接触到冷