一种半导体芯片的清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113764259A(43)申请公布日2021.12.07(21)申请号202010984685.3(22)申请日2020.09.18(71)申请人英迪那米（徐州）半导体科技有限公司地址221600江苏省徐州市经济技术开发区庙山路1号2号厂房(72)发明人陈如明陈彩丽卜庆磊(74)专利代理机构北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙)11638代理人王新爱(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种半导体芯片的清洗方法(57)摘要本发明公开了一种半导体芯片的清洗方法，采用臭氧化的DI水进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60～70℃，随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液对半导体芯片表面再次进行清洗，使用氢氟酸和氯化氢混合液对半导体芯片表面进行清洗，采用氯化氢和臭氧混合液对半导体芯片的表面进行清洗，在40～50℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗，本发明方式比较环保，且降低各种清洗液的使用量，在清洗过程中将半导体芯片表面的有机物及氧化层均处理干净，且较传统的清洗方法效果更加明显，并且在表面产生亲水性，可避免再次发生金属污染，大大降低了二次金属污染的概率，保证了使用寿命。CN113764259ACN113764259A权利要求书1/1页1.一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：采用臭氧化的DI水进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60～70℃，以去除表面的有机物；步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液对半导体芯片的表面进行清洗，在半导体芯片表面产生亲水性；步骤五：在40～50℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于：所述步骤一～步骤四均在真空环境下进行。3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于：所述步骤一中臭氧化的DI水浓度为0.5ppm。4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于：所述步骤二中硫酸和过氧化氢混合液中硫酸：过氧化氢：水的比例为1:1:3。5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于：所述步骤三中氢氟酸和氯化氢混合液中氢氟酸：氯化氢：水的比例为1:2:10。6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于：所述步骤四中氯化氢和臭氧混合液中氯化氢：臭氧：水的比例为1:3:7。2CN113764259A说明书1/3页一种半导体芯片的清洗方法技术领域[0001]本发明涉及半导体芯片的清洗方法技术领域，具体为一种半导体芯片的清洗方法。背景技术[0002]传统半导体芯片的清洗方法大多存在需要大量消耗清洗液，并且效果没有那么理想，而且在清洗完成后，而然会出现再次污染的情况，大大降低了其使用寿命，因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种半导体芯片的清洗方法，本发明方式比较环保，且降低各种清洗液的使用量，在清洗过程中将半导体芯片表面的有机物及氧化层均处理干净，且较传统的清洗方法效果更加明显，并且在表面产生亲水性，可避免再次发生金属污染，大大降低了二次金属污染的概率，保证了使用寿命，以解决上述背景技术中提出的问题。[0004]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体芯片的清洗方法，包括以下步骤：[0005]步骤一：采用臭氧化的DI水进行半导体芯片表面的清洗，并使温度设置为60～70℃，以去除表面的有机物；[0006]步骤二：随后使温度降至常温，用过硫酸和过氧化氢混合液对半导体芯片表面再次进行清洗，进一步去除表面的有机物；[0007]步骤三：使用氢氟酸和氯化氢混合液对半导体芯片表面进行清洗，以去除氧化层；[0008]步骤四：采用氯化氢和臭氧混合液对半导体芯片的表面进行清洗，在半导体芯片表面产生亲水性；[0009]步骤五：在40～50℃的条件下及进行烘干操作，完成清洗。[0010]优选的，所述步骤一～步骤四均在真空环境下进行。[0011]优选的，所述步骤一中臭氧化的DI水浓度为0.5ppm。[0012]优选的，所述步骤二中硫酸和过氧化氢混合液中硫酸：过氧化氢：水的比例为1:1:3。[0013]优选的，所述步骤三中氢氟酸和氯化氢混合液中氢氟酸：氯化氢：水的比例为1:2:10。[0014]优选的，所述步骤四中氯化氢和臭氧混合液中氯化氢：臭氧：水的比例为1:3:7。[0015]与现有