一种半导体器件组装后芯片的清洗工装及清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108971081A(43)申请公布日2018.12.11(21)申请号201810690919.6(22)申请日2018.06.28(71)申请人阳信金鑫电子有限公司地址251800山东省滨州市阳信县小桑经贸园区(72)发明人徐景致(74)专利代理机构济南千慧专利事务所(普通合伙企业)37232代理人赵长林(51)Int.Cl.B08B3/02(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B3/12(2006.01)B08B13/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称一种半导体器件组装后芯片的清洗工装及清洗方法(57)摘要一种半导体器件组装后芯片的清洗工装及清洗方法,包括自前向后依次设置的两级超声溢水装置、两级超声丙酮脱水装置和烘干箱，还包括在超声溢水装置前侧设有的喷淋装置，酸洗后的芯片需要依次经过喷淋清洗、一级超声溢水清洗、二级超声溢水清洗、一级超声丙酮脱水、二级超声丙酮脱水和烘干操作。本发明采用上述结构，本发明采用上述结构，设计合理，喷淋清洗过程，有效减少了水对芯片的二次玷污，稳定芯片电性参数，提高芯片的可靠性；两级超声溢水洗，使得对芯片的清洗更彻底干净；两级超声丙酮脱水及烘干过程，彻底清除水残留，减少芯片表面可移动离子，提高芯片的可靠性。CN108971081ACN108971081A权利要求书1/2页1.一种半导体器件组装后芯片的清洗工装，其特征在于：包括自前向后依次设置的两级超声溢水装置、两级超声丙酮脱水装置和烘干箱，所述超声溢水装置包括溢水槽，溢水槽上设有溢水电阻，溢水槽内设有超声波发振器，所述溢水槽还连接溢水槽进水管，所述溢水槽进水管一端通入到溢水槽底部，另一端连接水源；所述超声丙酮脱水装置包括丙酮脱水槽，丙酮脱水槽内设有超声波发振器和丙酮液，在超声溢水装置前侧设有喷淋装置，所述喷淋装置包括喷淋槽，所述喷淋槽的底部设有排水口，喷淋槽内设有若干喷淋头，所述喷淋头的顶部设有喷水口，底部连接喷淋槽进水管。2.根据权利要求1所述的一种半导体器件组装后芯片的清洗工装，其特征在于：所述喷淋头紧密排列在喷淋槽内的四周。3.一种半导体器件组装后芯片的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)喷淋清洗：将酸洗后的芯片放于治具中，通过自动转移吊篮将装有芯片的治具转移到喷淋槽中，通过喷淋头喷出的水对芯片进行喷淋清洗，清洗过芯片的废水直接从喷淋槽底部的排水口排出，废水不与芯片二次接触；(2)对溢水槽内进行超声强度确认：启动超声波发振器，将锡箔纸张平竖直放于超声波振子的中心位置，观察锡箔纸的破损分层情况，破损最厉害的部位为超声强度最高的部位；(3)一级超声溢水清洗：装有芯片的治具通过自动转移吊篮从喷淋槽转移至一级超声溢水装置的溢水槽中，将芯片水平放置在超声波振子上方超声强度最高的部位，对芯片进行一级超声溢水清洗，超声波振子震动的同时，纯水通过溢水槽底部进入溢水槽内，废水则从溢水槽顶部溢出；(4)二级超声溢水清洗：装有芯片的治具通过自动转移吊篮从一级超声溢水装置的溢水槽转移至二级超声溢水装置的溢水槽中，将芯片水平放置在超声波振子上方超声强度最高的部位，对芯片进行二级超声溢水清洗，超声波振子震动的同时，纯水通过溢水槽底部进入溢水槽内，废水则从溢水槽顶部溢出，设置在溢水槽上的溢水电阻对水质实时监测，确保电阻率不小于10兆欧姆厘米；(5)一级超声丙酮脱水：两级超声溢水清洗完成后，装有芯片的治具通过自动转移吊篮从二级超声溢水装置的溢水槽转移至一级超声丙酮脱水装置的丙酮脱水槽的超声波振子上方，对芯片进行一级超声丙酮脱水；(6)二级超声丙酮脱水：装有芯片的治具通过自动转移吊篮从一级超声丙酮脱水装置的丙酮脱水槽转移至二级超声丙酮脱水装置的丙酮脱水槽的超声波振子上方，对芯片进行二级超声丙酮脱水；(7)烘干：将芯片放人烘干箱内，在烘箱中充氮气，对芯片进行烘干。4.根据权利要求3所述的一种半导体器件组装后芯片的清洗方法，其特征在于：步骤(1)中所述的喷淋清洗，向喷淋槽进水管内供水的水流流速为每分钟8升。5.根据权利要求3所述的一种半导体器件组装后芯片的清洗方法，其特征在于：步骤(2)中所述的超声强度确认过程中，锡箔纸放入超声波振子中心的时间为30秒，30秒后将锡箔纸取出，观察锡箔纸的破损分层情况。6.根据权利要求3所述的一种半导体器件组装后芯片的清洗方法，其特征在于：步骤(3)(4)中所述的两级超声溢水清洗，超声强度为15-25I范围内，溢水槽内水流量为每分钟8升，频率为28赫兹，清洗时间为4分钟，清洗时间的允许误差在0.5分钟范围内。2CN108971081A权利要求书2/2页7.根据权利要求3或6所述的一种半导体器件组装后芯片的清洗方