半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108149293A(43)申请公布日2018.06.12(21)申请号201611104605.0(22)申请日2016.12.05(71)申请人苏州能讯高能半导体有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号(72)发明人金鑫(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人张海英林波(51)Int.Cl.C25D7/12(2006.01)C25D17/00(2006.01)C25D17/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置(57)摘要本发明公开了一种半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置，属于半导体晶圆电沉积领域，为解决现有技术电沉积层均匀性差等问题而设计。本发明半导体晶圆电沉积方法是阳极仅针对待电沉积半导体晶圆的中部进行电沉积，以避免电场线在所述待电沉积半导体晶圆的边缘处集中并产生边缘效应。本发明半导体晶圆电沉积装置包括夹具、挡板、以及阳极，待电沉积半导体晶圆与挡板之间留有间隔；在挡板上开设有挡板通孔，挡板通孔的位置对应于待电沉积半导体晶圆且挡板通孔的面积小于待电沉积半导体晶圆的面积。本发明半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置消除电沉积边缘效应，提高电沉积均匀性。CN108149293ACN108149293A权利要求书1/1页1.一种半导体晶圆电沉积方法，其特征在于，阳极(2)仅针对待电沉积半导体晶圆(15)的中部进行电沉积，以避免电场线在所述待电沉积半导体晶圆(15)的边缘处集中并产生边缘效应。2.一种用于实现如权利要求1所述半导体晶圆电沉积方法的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述电沉积装置包括用于固定待电沉积半导体晶圆(15)的夹具、设置在待电沉积半导体晶圆(15)前方的挡板(1)、以及设置在所述挡板(1)前方的阳极(2)，所述待电沉积半导体晶圆(15)与所述挡板(1)之间留有间隔；在所述挡板(1)上开设有挡板通孔(11)，所述挡板通孔(11)的位置对应于所述待电沉积半导体晶圆(15)且所述挡板通孔(11)的面积小于所述待电沉积半导体晶圆(15)的面积。3.根据权利要求2所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，在所述阳极(2)的外侧包覆有屏蔽罩(3)，在所述屏蔽罩(3)朝向所述待电沉积半导体晶圆(15)的一侧上设置有屏蔽罩通孔(31)；所述屏蔽罩通孔(31)与所述挡板通孔(11)至少部分对齐。4.根据权利要求2所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述挡板(1)由绝缘材料制成。5.根据权利要求2所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述电沉积装置还包括壳体(4)，所述壳体(4)内填有电沉积液(5)，所述夹具、挡板(1)和阳极(2)均设置在所述壳体(4)内。6.根据权利要求5所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述挡板(1)的底边、左侧边和右侧边分别抵接在所述壳体(4)的底面、左侧面和右侧面上，所述挡板(1)的边缘高出所述电沉积液(5)的液面。7.根据权利要求2所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述电沉积装置还包括阴极板(6)，所述夹具设置在所述阴极板(6)上；所述挡板(1)通过螺栓(7)固定在所述阴极板(6)上。8.根据权利要求2至7任一所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述夹具包括与阴极导杆连接的阴极悬挂(8)、连接至所述阴极悬挂(8)的导电板(9)、以及连接至所述导电板(9)的导电环(10)；电沉积时所述待电沉积半导体晶圆(15)镶嵌在所述导电环(10)内，所述待电沉积半导体晶圆(15)的外边缘抵接在所述导电环(10)的内侧壁上；所述导电板(9)的外侧包覆有绝缘层。9.根据权利要求8所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述阴极悬挂(8)由金属材料制成。10.根据权利要求2至7任一所述的半导体晶圆电沉积装置，其特征在于，所述夹具包括与阴极导杆连接的阴极悬挂(8)、连接至所述阴极悬挂(8)的多根导线、以及连接至所述导线的导电环(10)；电沉积时所述待电沉积半导体晶圆(15)镶嵌在所述导电环(10)内，所述待电沉积半导体晶圆(15)的外边缘抵接在所述导电环(10)的内侧壁上；所述导线的外侧包覆有绝缘层。2CN108149293A说明书1/3页半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置技术领域[0001]本发明涉及半导体晶圆电沉积领域，尤其涉及一种半导体晶圆电沉积方法以及用于实现该电沉积方法的半导体晶圆电沉积装置。背景技术[0002]沉积金属层通常是晶圆中不可缺少的一个步骤，其中晶圆表面电沉积金属厚度的均匀性是影响晶圆所制成芯片性能和良品率的重要指标。[0003]为了提高电沉积金属厚度的均匀性，现有的主要