抛光半导体晶圆的方法.pdf

本发明涉及一种用于抛光具有正面和背面的半导体晶圆的方法。该方法包括通过CMP抛光所述半导体晶圆的背面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述背面的中心区域的材料去除高于所述背面的边缘区域的材料去除；以及通过CMP抛光所述半导体晶圆的正面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述正面的中心区域的材料去除低于所述正面的边缘区域的材料去除。

2023-10-22

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晶圆凹口抛光装置及晶圆凹口抛光方法.pdf

本申请公开一种晶圆凹口抛光装置及晶圆凹口抛光方法，其中，所述晶圆凹口抛光装置包括晶圆承载台和晶圆凹口抛光机构，其中，晶圆凹口抛光机构可包括抛光滚轮、滚轮旋转电机、以及滚轮移位机构，利用滚轮移位机构驱动抛光滚轮移位至对应晶圆承载台所承载的晶圆的凹口，使得被滚轮旋转电机驱动的抛光滚轮针对晶圆的凹口进行凹口抛光。本申请晶圆凹口抛光装置及晶圆凹口抛光方法，结构简单，操作简便，提高了晶圆凹口抛光的效率。

2023-08-29

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半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置.pdf

本发明公开了一种半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积装置，属于半导体晶圆电沉积领域，为解决现有技术电沉积层均匀性差等问题而设计。本发明半导体晶圆电沉积方法是阳极仅针对待电沉积半导体晶圆的中部进行电沉积，以避免电场线在所述待电沉积半导体晶圆的边缘处集中并产生边缘效应。本发明半导体晶圆电沉积装置包括夹具、挡板、以及阳极，待电沉积半导体晶圆与挡板之间留有间隔；在挡板上开设有挡板通孔，挡板通孔的位置对应于待电沉积半导体晶圆且挡板通孔的面积小于待电沉积半导体晶圆的面积。本发明半导体晶圆电沉积方法及半导体晶圆电沉积

2023-11-18

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半导体晶圆的清洗方法.pdf

本发明为一种半导体晶圆的清洗方法，该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止，以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此，提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中，能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体

2023-11-15

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半导体晶圆的热处理方法.pdf

本发明是一种半导体晶圆的热处理方法，其在单片式的热处理炉内配设有能够载置半导体晶圆的基座，并对载置于该基座的半导体晶圆进行热处理，其特征在于，在所述热处理前，在所述热处理炉内，进行以比所述热处理的温度低的规定温度保持规定时间的预备加热，在该预备加热中，使所述半导体晶圆从所述基座分离并进行保持。由此，提供一种半导体晶圆的热处理方法，该方法即使在高温热处理时也不会大幅降低生产性，并能够抑制半导体晶圆的滑移。

2023-06-17

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