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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108538856A(43)申请公布日2018.09.14(21)申请号201810294128.1(22)申请日2018.03.30(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518000广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人曹武(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280代理人钟子敏(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/84(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图5页(54)发明名称阵列基板及阵列基板的制作方法(57)摘要本发明公开了一种阵列基板,所述阵列基板包括器件层以及设置于所述器件层上的覆盖层,所述覆盖层包括至少一通孔,所述通孔至少两不同侧壁相对于参考水平面形成的倾斜角不同;所述覆盖层上形成有像素电极,所述覆盖层的所述电极通过所述通孔连接所述器件层中的源极或漏极。本发明还公开了一种阵列基板的制作方法,通过上述阵列基板结构可避免像素电极残留导致电极短接引起的产品质量问题。CN108538856ACN108538856A权利要求书1/2页1.一种阵列基板,其特征在于,包括:器件层以及设置于所述器件层上的覆盖层,所述覆盖层包括至少一通孔,所述通孔至少两不同侧壁相对于参考水平面形成的倾斜角不同;所述覆盖层上形成有像素电极,所述覆盖层的所述电极通过所述通孔连接所述器件层中的源极或漏极。2.根据权利要求1所述阵列基板,其特征在于,所述覆盖层为条状色阻层,所述通孔贯穿所述条状色阻层及所述覆盖层。3.根据权利要求1所述阵列基板,其特征在于,所述覆盖层包括岛状色阻层及设置于所述岛状色阻层上的平坦化层,所述通孔贯穿所述平坦化层及所述覆盖层。4.根据权利要求1所述阵列基板,其特征在于,所述通孔至少两侧壁与参考水平面形成的倾斜角至少分别为第一倾斜角和第二倾斜角,所述第一倾斜角大于所述第二倾斜角,所述第一倾斜角对应的所述通孔侧壁为所述像素电极从所述通孔爬出的侧壁,所述第二倾斜角为所述通孔剩余至少一个侧壁的倾斜角。5.根据权利要求4所述阵列基板,其特征在于,所述第一倾斜角和所述第二倾斜角的角度差大于等于10°,所述第一倾斜角和所述第二倾斜角的角度范围为30°~80°。6.根据权利要求4所述阵列基板,其特征在于,所述第二倾斜角对应的通孔侧壁外设置有与所述像素电极同层的电极。7.根据权利要求4所述阵列基板,其特征在于,所述第二倾斜角对应的通孔侧壁内设置有与所述像素电极同层的电极。8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:形成器件层;在所述器件层上设置覆盖层,并在所述覆盖上形成至少一个通孔,其中,所述通孔至少两不同侧壁相对于参考水平面形成的倾斜角不同;在所述覆盖层上形成像素电极,通过所述通孔连接所述像素电极以及所述器件层中的源极或漏极。9.根据权利要求8所述阵列基板的制作方法,其特征在于,所述通孔至少两侧壁与参考水平面形成的倾斜角至少分别为第一倾斜角和第二倾斜角,所述第一倾斜角大于所述第二倾斜角,所述第一倾斜角对应的所述通孔侧壁为所述像素电极从所述通孔爬出的侧壁,所述第二倾斜角为所述通孔剩余至少一个侧壁的倾斜角;所述在所述器件层上设置覆盖层,并在所述覆盖层上形成至少一个通孔的步骤还包括:在所述器件层上设置覆盖层;通过一道半灰阶光罩对所述覆盖层进行曝光,在所述覆盖层形成至少一个至少两不同侧壁相对于参考水平面形成不同倾斜角的通孔。10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述通孔至少两侧壁与参考水平面形成的倾斜角至少分别为第一倾斜角和第二倾斜角,所述第一倾斜角大于所述第二倾斜角,所述第一倾斜角对应的所述通孔侧壁为所述像素电极从所述通孔爬出的侧壁,所述第二倾斜角为所述通孔剩余至少一个侧壁的倾斜角;所述在所述器件层上设置覆盖层,并在所述覆盖层上形成至少一个通孔的步骤还包2CN108538856A权利要求书2/2页括:在所述器件层上设置覆盖层;通过带有狭缝的光罩开口对所述覆盖层进行曝光,在所述覆盖层形成至少一个至少两不同侧壁相对于参考水平面形成不同倾斜角的通孔。3CN108538856A说明书1/5页阵列基板及阵列基板的制作方法技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及阵列基板的制作方法。背景技术[0002]参阅图1,COA(ColorFilteronArray)基板是一种将彩色滤光片(ColorFilter,CF)2制作于阵列基板1上的结构,该结构可有效地减少由于对盒偏差导致的漏光问题,并且降低信号线与像素电极5间的耦合电容,从而有效地提高像素开口率。因此,目前在液晶显示领域被广泛应用。[0003]本申请的发明人在长期研发中发现,在现有的COA基板的