阵列基板及阵列基板的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112635691A(43)申请公布日2021.04.09(21)申请号202011632207.2(22)申请日2020.12.31(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人黄旭(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人远明(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称阵列基板及阵列基板的制作方法(57)摘要本发明涉及一种阵列基板及阵列基板的制作方法。阵列基板设有阳极层，所述阳极层包括第一导电层、反射金属层、防结晶层以及第二导电层；反射金属层设于第一导电层上；防结晶层设于反射金属层上；第二导电层设于防结晶层上；其中在阳极层被蚀刻时，防结晶层用于防止第二导电层在反射金属层上结晶。本发明通过在银材质的反射金属层上制备一层极薄的铜等其他金属薄膜作为防结晶层来避免银诱导氧化铟锡的结晶现象，避免了在阳极层被蚀刻时，氧化铟锡材质的第二导电层在反射金属层上结晶导致氧化铟锡残留的情况，减小了刻蚀难度，提升了生产效率及合格率，减小大面板的电压下降(IR‑Drop)现象，提升了显示效果。CN112635691ACN112635691A权利要求书1/2页1.一种阵列基板，其特征在于，设有阳极层，所述阳极层包括：第一导电层；反射金属层，设于所述第一导电层上；防结晶层，设于所述反射金属层上；以及第二导电层，设于所述防结晶层上；其中在所述阳极层被蚀刻时，所述防结晶层用于防止所述第二导电层在所述反射金属层上结晶。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射金属层的材质包括银。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述防结晶层的材质包括铜；所述防结晶层的厚度为5埃‑100埃。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层的材质包括氧化铟锡。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：玻璃基板；阻隔层，设于所述玻璃基板上；缓冲层，设于所述玻璃基板上并完全覆盖所述阻隔层；有源层，设于所述缓冲层上并对应所述阻隔层设置；栅极绝缘层，设于所述有源层上；栅极层，设于所述栅极绝缘层上；层间绝缘层，设于所述栅极层上；源漏极层，设于所述层间绝缘层上；以及钝化层，设于所述源漏极层上；所述阳极层设于所述钝化层上并与所述源漏极层电连接。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括制作阳极层步骤，所述制作阳极层步骤具体包括：制作第一导电层；在所述第一导电层上制作反射金属层；在所述反射金属层上制作防结晶层；在所述防结晶层上制作第二导电层；以及蚀刻所述阳极层进行图案化处理，在所述阳极层被蚀刻时，所述防结晶层用于防止所述第二导电层在所述反射金属层上结晶。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述反射金属层的材质包括银。8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述防结晶层的材质包括铜；所述防结晶层的厚度为5埃‑100埃。9.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层、所述第二导电层的材质包括氧化铟锡。10.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述制作阳极层步骤之前还包括：2CN112635691A权利要求书2/2页在一玻璃基板上制作阻隔层；在所述玻璃基板上制作缓冲层，所述缓冲层完全覆盖所述阻隔层；在所述缓冲层上制作有源层，所述有源层对应所述阻隔层设置；在所述有源层上制作栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作栅极层；在所述栅极层上制作层间绝缘层；在所述层间绝缘层上制作源漏极层；以及在所述源漏极层上制作钝化层；在所述钝化层上制作所述阳极层，所述阳极层与所述源漏极层电连接。3CN112635691A说明书1/5页阵列基板及阵列基板的制作方法技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及阵列基板的制作方法。背景技术[0002]随着有机发光二极管(OLED)技术的逐渐成熟，不同技术路线的选择也逐渐被提上日程，例如向上发光(top‑emission)相比向下发光(bottom‑emission)拥有更好的穿透率，及更简单的光路便于微腔器件的设计等也被定义为更适合开发的路线。相比向下发光的器件其阳极要求更高，不仅需要有较大功函数及粗糙度匹配上层器件，还需作为反射膜的作用，拥有良好的反射性能；例如现用较多的为ITO/Ag/ITO作为OLED阳极就能较好匹配其阳极要求，且上层ITO可做厚来调节光学腔长，提高器件性能，目前工艺上要求在750埃‑800埃能得到较好的发光效。[0003]如图1所示，为