阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939036A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211689701.1(22)申请日2022.12.27(71)申请人广州华星光电半导体显示技术有限公司地址510700广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417(72)发明人朱小峰(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师谢淼水(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图11页(54)发明名称阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板(57)摘要本申请提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示面板，其中阵列基板的制备方法通过将有源层上以及有源层上的源极和漏极均分开制作，具体先采用构图工艺刻蚀形成源极或漏极的其中一个，以及刻蚀部分有源层以形成有源层的主图形，并在制作完成的源极或漏极上沉积第一绝缘层并通过构图工艺使第一绝缘层包覆该源极或漏极，此后再次在主图形上形成有源层图形的补偿图形，主图形和补偿图形之间形成有沟道槽，沟道槽内填充有部分第一绝缘层，此时沟道槽长度即为第一绝缘层的宽度，制作完成有源层后再制备源极或漏极的另一个，使源极和漏极被沟道槽中的第一绝缘层隔开，因此控制减小第一绝缘层形成于沟道槽中的宽度以进一步将沟道槽的长度缩小。CN115939036ACN115939036A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和有源层；在所述有源层上形成源极或漏极的其中一个以及刻蚀部分所述有源层以形成所述有源层的主图形；在所述源极或漏极的其中一个上形成图案化的第一绝缘层，所述第一绝缘层包覆所述源极或漏极的其中一个；在所述主图形上形成所述有源层的补偿图形，所述主图形和所述补偿图形之间形成有沟道槽，所述沟道槽内填充有部分所述第一绝缘层；在所述有源层的补偿图形上形成所述源极或所述漏极的另一个。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层上形成源极或漏极的其中一个以及刻蚀部分所述有源层以形成所述有源层的主图形的步骤，包括：在所述有源层上整面沉积源漏金属层；采用湿法刻蚀的构图工艺在所述源漏金属层中刻蚀形成源极或漏极的其中一个；采用干法刻蚀的构图工艺刻蚀部分所述有源层以形成所述有源层的主图形。3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述形成有源层的步骤，包括：在所述栅绝缘层上整面沉积半导体层；在所述栅绝缘层上整面制备欧姆接触层；采用一次构图工艺刻蚀所述半导体层和所述欧姆接触层以形成所述有源层；所述在所述有源层上形成源极或漏极的其中一个以及刻蚀部分所述有源层以形成所述有源层的主图形的步骤，包括：在所述欧姆接触层上整面沉积所述源漏金属层；采用一次构图工艺在所述源漏金属层中形成源极或漏极的其中一个；刻蚀部分所述欧姆接触层直至所述半导体层暴露，形成所述主图形。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，刻蚀部分所述欧姆接触层直至所述半导体层暴露，形成所述有源层的主图形，之后包括：对暴露的所述半导体层进行过度刻蚀以使所述欧姆接触层被完全刻蚀，以使刻蚀过的所述半导体层和所述欧姆接触层形成所述有源层的主图形。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述主图形上形成所述有源层的补偿图形的步骤包括：在所述第一绝缘层和所述主图形上整面再次沉积所述半导体层；在所述半导体层上整面再次沉积所述欧姆接触层；采用一次构图工艺刻蚀所述半导体层和所述欧姆接触层以形成所述补偿图形。6.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及依次设置于所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源漏金属层和第一绝缘层；所述有源层上开设有沟道槽，所述源漏金属层包括位于所述有源层两侧的源极和漏极，所述沟道槽位于所述源极和所述漏极之间；所述第一绝缘层部分位于所述沟道槽内并覆盖于所述有源层显露于所述沟道槽的表面，且所述第一绝缘层部分包覆所述源极或部分包覆所述漏极。7.根据权利要求6所述阵列基板，其特征在于，所述有源层包括：2CN115939036A权利要求书2/2页欧姆接触层，设置于所述栅绝缘层上；半导体层，设置于所述欧姆接触层上，所述沟道槽贯穿所述欧姆接触层以及贯穿部分所述半导体层，所述半导体层部分显露于所述沟道槽，所述第一绝缘层部分位于所述沟道槽内并覆盖于所述半导体层显露于所述沟道槽的表面。8.根据权利要求6所述阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第一电极层，设置于所述栅极绝缘层上，所述第一电极层与所述有源层在所述栅极绝缘层上间隔设置，所述漏极部分搭接于所述第一电极层背向所述衬底基板的表面上；所述第一绝缘层部分包覆所述漏极时，所述