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一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法.pdf
2023-11-17
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雅云****彩妍
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一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法.pdf
一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法，包括以下步骤，从坩埚底部开始依次铺设一层单晶籽晶、碎硅片、边皮、原生致密棒料或大块菜花料、小块原生硅料、回收料、小块回收料。本发明具有以下几个特点：碎硅片避免了籽晶层上方应力集中，也减少了熔化阶段硅液对籽晶层的热冲击，减少了因应力集中和热应力而产生的位错；原生硅料铺在坩埚下部、回收料铺在坩埚上部，减少引晶初期因杂质聚集而产生的位错和多晶；埚壁紧贴一层边皮，可以减少涂层的脱落，相邻边皮留有一定距离，防止高温时边皮膨胀挤压坩埚，可降低坩埚破裂风险。
2023-11-17
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一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭时的籽晶铺设方法.pdf
本发明专利公开了一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭时的籽晶铺设方法，包括以下步骤：S1，直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；S2，将所述单晶方棒切割成大籽晶块；S3，将所述大籽晶块再次切割成小籽晶块或籽晶条；S4，将所述小籽晶块或者籽晶条铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；S5，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S6，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；S7，将所述硅锭进行开方，开方后得到小方锭；S8，将所述小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片
2023-06-16
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一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法.pdf
本发明专利公开了一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法，包括以下步骤：直拉单晶棒去除边皮，再经过切割后得到长方体形状的籽晶,把其铺设在坩埚底部；将制备的支撑腿和保护板放置在坩埚底部，使籽晶层与保护板之间留有一定空隙，在保护板上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。本发明可以防止装硅料时硅粉或小硅颗粒掉入籽晶之间的拼接缝内，可以减小铸造单晶锭中多晶产生的概率；保护板和籽晶层之间留有一定的空隙，硅料不直接压在籽晶层上，可以减小因压应力而产生位错的概率，提升了铸造单晶硅锭的质量。
2023-11-12
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单晶体生产的装料方法及预装料坩埚.pdf
本发明公开了一种单晶体生产的装料方法，包括：向置于单晶炉外的石英坩埚装料；在已装好料的石英坩埚上加盖一与所述石英坩埚紧密扣合的预装料盖；使用吊车勾吊预装料盖以使石英坩埚提起，再放入单晶炉热场的石墨坩埚中；使所述预装料盖和所述石英坩埚脱离，再由吊车吊走预装料盖，完成单晶体生产的装料。采用本发明的单晶体生产的装料方法，节省了单晶炉的有效利用时间，降低了因为装料不规范而造成挂边、搭桥等事故的发生。本发明还涉及用于单晶体生产的装料方法的预装料坩埚。
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一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法.pdf
一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法，属于多晶硅领域。晶硅生产方法利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅。多晶硅生产包括：从还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料；调节氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为1:0.03～0.2:0.05～0.3以得到混合料；使氢气与混合料接触并发生还原反应。本发明提供的多晶硅制备方法能够充分利用在现有生产过程中产生的二氯二氢硅、四氯化硅，以提高多晶硅在反应炉中的沉积速度和产品质量，同时能有效的降
2023-06-17
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