一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107720755A(43)申请公布日2018.02.23(21)申请号201711067237.1(22)申请日2017.11.02(71)申请人成都蜀菱科技发展有限公司地址610000四川省成都市新津县新津工业园区新材料产业功能区新材18路(72)发明人王姗(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258代理人何龙(51)Int.Cl.C01B33/035(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法(57)摘要一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法，属于多晶硅领域。晶硅生产方法利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅。多晶硅生产包括：从还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料；调节氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为1:0.03～0.2:0.05～0.3以得到混合料；使氢气与混合料接触并发生还原反应。本发明提供的多晶硅制备方法能够充分利用在现有生产过程中产生的二氯二氢硅、四氯化硅，以提高多晶硅在反应炉中的沉积速度和产品质量，同时能有效的降低企业处理废弃物二氯二氢硅、四氯化硅的成本，减少硅的损耗，提高利用率。CN107720755ACN107720755A权利要求书1/1页1.一种多晶硅生产方法，其特征在于，利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅，所述多晶硅生产方法包括：从所述还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料；调节所述氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为1:0.03～0.2:0.05～0.3以得到混合料；使氢气与所述混合料接触并发生还原反应，氢气与气态的所述混合料是按照1:3～10的预设摩尔比接触的，且所述预设摩尔比是：气态的所述混合料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的总摩尔量与氢气的摩尔量之比。2.根据权利要求1所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述混合料是以气态的形式为提供的。3.根据权利要求2所述的多晶硅生产方法，其特征在于，使氢气与气态的所述混合料接触之前，对气态的所述混合料进行纯化处理，以除去所述混合料中的金属元素、硼元素、磷元素以及碳元素。4.根据权利要求3所述的多晶硅生产方法，其特征在于，对气态的所述混合料进行纯化处理的方法是：以树脂作为吸附剂与气态的所述混合料接触，以吸附金属元素、硼元素、磷元素以及碳元素的单质、化合物。5.根据权利要求2～4中任一项所述的多晶硅生产方法，其特征在于，在使氢气与气态的所述混合料接触时，气态的所述混合料的温度为400～450℃。6.根据权利要求5所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述气态的所述混合料的温度为420～446℃。7.根据权利要求2～4中任一项所述的多晶硅生产方法，其特征在于，氢气与气态的所述混合料是在还原炉内接触并发生还原反应的，且气态的所述混合料是从所述还原炉的底部被注入的。8.根据权利要求7所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述还原炉内的温度为1000～1200℃。9.根据权利要求2所述的多晶硅生产方法，其特征在于，所述预设摩尔比是1:4～8。10.一种多晶硅生产原料，其特征在于，所述多晶硅生产原料被用于作为通过三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的工艺中的硅源物料，所述多晶硅生产原料含有摩尔配为1:0.03～0.2:0.05～0.3的三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅。2CN107720755A说明书1/5页一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法技术领域[0001]本发明涉及多晶硅领域，具体而言，涉及一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法。背景技术[0002]随着世界经济的发展，能源的需求量在不断的增加，传统化石能源已经快要耗尽，寻找一种低碳、清洁、可再生的新能源已经成为当前世界经济发展的主要议题。太阳能光伏能源具有可再生、清洁、低碳等诸多优点，在未来的世界能源发展过程中，光伏太阳能必将成为世界各国能源来源的首选，因此世界各国目前均在大力发展光伏太阳产业，以减少对传统化石能源的依赖性。[0003]太阳能级多晶硅是太阳能光伏发电产业最基础的材料。现在世界各国都在大力发展自己的太阳能级多晶硅生产技术，但是全球最先进的太阳能级多晶硅生产技术主要还是掌握在世界少数几家大型企业手中，其对外也是保密的。[0004]目前国内外绝大多数多晶硅生产企业均采用第三代闭环式改良西门子法生产工艺，即采用高纯的三氯氢硅(SiHCl3，Trichlorosilane，简称TCS)和氢气混合反应生产太阳能级多晶硅。[0005]但是，现有的生产工艺还存在一些问题，如尾气处理不便等。因此寻找一种能够利用生产