TFT基板的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108682654A(43)申请公布日2018.10.19(21)申请号201810433816.1(22)申请日2018.05.08(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人刘司洋(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂程晓(51)Int.Cl.H01L21/84(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图3页(54)发明名称TFT基板的制作方法(57)摘要本发明提供一种TFT基板的制作方法，采用4Mask的第二道光罩制程制作叠加于第一金属线上方的第二金属线，该制程中所使用的第二光罩的第二金属线图案两侧外缘处设有狭缝，相比于使用传统光罩，所形成的光阻图案层的两侧会对应所述狭缝形成凹槽，且光阻图案层两侧的厚度将会减小，在对光阻图案层进行干法蚀刻时，由于光阻图案层两侧的厚度减小，在同样的干法蚀刻条件下，光阻图案层的宽度损失量会变大，进而会导致第二金属层在第二次湿法蚀刻时的尺寸损失量变大，如此便达到了不调节制程条件而实现减小第二金属线宽度的目的，使第二金属线相对第一金属线发生偏移时，第二金属线在坡底边缘处残留的风险减小，制程空余调节量变大。CN108682654ACN108682654A权利要求书1/2页1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积并图案化形成第一金属线(11)，在所述第一金属线(11)与衬底基板(10)上沉积形成间隔层(15)；步骤S2、在所述间隔层(15)上沉积第二金属层(20)，在所述第二金属层(20)上涂覆光阻层(80)，提供第二光罩(90)，所述第二光罩(90)具有第二金属线图案(95)，所述第二金属线图案(95)两侧外缘处设有狭缝(96)，利用所述第二光罩(90)对所述光阻层(80)进行曝光、显影，得到对应位于所述第一金属线(11)上方的光阻图案层(85)，所述光阻图案层(85)的两侧对应所述狭缝(96)形成凹槽(86)，且光阻图案层(85)两侧的厚度相对于中部的厚度减小；步骤S3、以所述光阻图案层(85)为遮蔽层，对所述第二金属层(20)进行进行第一次湿法蚀刻；步骤S4、对所述光阻图案层(85)进行干法蚀刻，减薄所述光阻图案层(85)；步骤S5、以减薄后的光阻图案层(85)为遮蔽层，对所述第二金属层(20)进行进行第二次湿法蚀刻，去除光阻图案层(85)，得到对应位于所述第一金属线(11)上方的第二金属线(21)。2.如权利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属线图案(95)每侧外缘处设有两条平行间隔的狭缝(96)，所述第二金属线图案(95)包括遮光主线(951)以及在所述遮光主线(951)两侧由内向外依次设置的且与所述遮光主线(951)相平行的内遮光副线(952)和外遮光副线(953)；所述狭缝(96)包括第一透光狭缝(961)和第二透光狭缝(962)，所述内遮光副线(952)与遮光主线(951)之间构成所述第一透光狭缝(961)，所述内遮光副线(952)与外遮光副线(953)之间构成所述第二透光狭缝(962)。3.如权利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透光狭缝(961)、内遮光副线(952)、第二透光狭缝(962)及外遮光副线(953)的宽度分别为a、b、c、d，其中，0.5μm≤a≤1.5μm，0.5μm≤b≤1.5μm，0.5μm≤c≤1.5μm，0.5μm≤d≤1.5μm。4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二金属线图案(95)的宽度为L2，L2≤7μm。5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括提供第一光罩(40)，所述第一金属线(11)通过所述第一光罩(40)制作形成，所述第一光罩(40)具有用于对应形成第一金属线(11)的第一金属线图案(41)。6.如权利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属线图案(41)的宽度为L1，L1≤9μm。7.如权利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属线图案(41)的宽度为L1，所述第二金属线图案(95)的宽度为L2，L1-L2≤2μm。8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中所提供的第二光罩(90)，其上的狭缝(96)通过在第二光罩(90)上挖空相应部分而形成。9.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属线(11)和第二金属线(21)的材料均为钼、铝、铜、钛中的一种或多种的合金。10.如权