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半导体设备和半导体设备的反应腔室的清理方法.pdf
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半导体设备和半导体设备的反应腔室的清理方法.pdf
本发明公开了一种半导体设备和该半导体设备的反应腔室的清理方法，属于半导体制造技术领域。所述半导体设备包括反应腔室，用于容纳待处理晶片，所述半导体设备还包括位于所述反应腔室的侧壁且靠近所述反应腔室顶部的进气清理组件，所述进气清理组件包括至少一个喷嘴，所述喷嘴可沿所述反应腔室的径向伸缩，以调节所述喷嘴伸入到所述反应腔室内部的长度，以清理位于所述反应腔室顶部的残留物。能够有效提高待处理晶片的加工良率，同时，还能够减少反应腔室维护后的恢复时间。
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本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备,其包括法拉第屏蔽环和用于支撑该法拉第屏蔽环的绝缘环,在绝缘环的支撑面设置有凹部,且在法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部,该凸部位于凹部内,其中,凹部包括朝外方向的第一侧面,凸部包括朝内方向的第二侧面,第一侧面和第二侧面相贴合;凹部被设置为使凸部在受热膨胀时不受凹部的限制。本发明提供的反应腔室,其不仅可以保证绝缘环在高温状态下不被破坏,而且可以确保法拉第屏蔽环的准确定位,从而可以提高工艺均匀性、稳定性和设备可靠性。
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反应腔室及半导体工艺设备.pdf
本申请公开了一种反应腔室及半导体工艺设备,涉及半导体工艺设备领域。一种反应腔室,包括:腔室主体;基座,所述基座可旋转地设置于所述腔室主体内,所述基座用于承载晶片;诱导磁组,所述诱导磁组设置于所述基座外侧,且所述诱导磁组与所述基座同步旋转,用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的诱导磁场;所述诱导磁组和所述基座的自转速度与所述半导体工艺设备中的磁控装置的旋转速度相同。一种半导体工艺设备,包括靶材、磁控装置和反应腔室,所述靶材设置于所述反应腔室的顶部开口处,所述磁控装置可在所述靶材上方围绕所述反应腔室的轴线转动。
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