半导体工艺腔室和半导体工艺设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115985745A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211577254.0(22)申请日2022.12.05(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人徐奎罗建恒(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315专利代理师刘亚岐(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称半导体工艺腔室和半导体工艺设备(57)摘要本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、用于产生等离子体的线圈、用于承载晶圆的基座和金属结构件，所述基座和所述金属结构件均设置于所述腔室本体内，所述金属结构件的至少部分与所述腔室本体的内壁相对设置，且所述金属结构件设置于所述基座用于放置所述晶圆的位置的周围或侧方，所述金属结构件与所述基座电连接，以在受到所述等离子体中的离子轰击后在所述腔室本体的内壁形成金属膜。该方案能够解决目前的半导体工艺腔室的产能较低的问题。CN115985745ACN115985745A权利要求书1/1页1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体(110)、用于产生等离子体的线圈(170)、用于承载晶圆的基座(120)和金属结构件(130)，所述基座(120)和所述金属结构件(130)均设置于所述腔室本体(110)内，所述金属结构件(130)的至少部分与所述腔室本体(110)的内壁相对设置，且所述金属结构件(130)设置于所述基座(120)用于放置所述晶圆的位置的周围或侧方，所述金属结构件(130)与所述基座(120)电连接，以在受到所述等离子体中的离子轰击后在所述腔室本体(110)的内壁形成金属膜。2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述金属结构件(130)为环形结构，所述金属结构件(130)设置于所述基座(120)的边缘，所述金属结构件(130)具有晶圆限位部(131)，在所述半导体工艺腔室处于工艺状态的情况下，所述晶圆限位部(131)与所述晶圆限位配合。3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体(110)包括相连的顶部(111)和侧部(112)，所述金属结构件(130)具有第一溅射部(132)，所述第一溅射部(132)具有与所述顶部(111)和所述侧部(112)相对的表面。4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一溅射部(132)具有相对于所述腔室本体(110)的底面倾斜的倾斜面(132a)，在所述金属结构件(130)的中心轴所在的截面内，所述金属结构件(130)的中心轴与所述倾斜面(132a)之间的夹角为30°～75°。5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述金属结构件(130)还具有第二溅射部(133)，所述第二溅射部(133)具有与所述顶部(111)相对的顶面(133a)，所述第一溅射部(132)环绕所述第二溅射部(133)设置，在所述金属结构件(130)的中心轴所在的截面内，所述倾斜面(132a)和所述顶面(133a)之间具有夹角。6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述金属结构件(130)还具有晶圆支撑部(134)，所述第二溅射部(133)、所述晶圆限位部(131)和所述晶圆支撑部(134)依次相连以形成台阶结构，所述第二溅射部(133)相对于所述晶圆支撑部(134)凸出。7.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括导电形变件(140)，所述基座(120)具有晶圆承载面(121)，所述晶圆承载面(121)的边缘设有容纳槽，所述导电形变件(140)的至少部分设置于所述容纳槽内，所述金属结构件(130)按压于所述导电形变件(140)，以使所述金属结构件(130)与所述基座(120)电导通。8.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括接地环(150)和绝缘环(160)，所述接地环(150)和所述绝缘环(160)均设置于所述腔室本体(110)内，所述接地环(150)与所述基座(120)相连，所述绝缘环(160)环绕所述基座(120)设置，所述绝缘环(160)设置于所述接地环(150)与所述金属结构件(130)之间。9.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述金属结构件(130)的材质为铝、铝铜合金、钛之一。10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1‑9中任一项所述的半导体工艺腔室。2CN115985745A说明书1/5页半导体工艺腔室和半导体