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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108884556A(43)申请公布日2018.11.23(21)申请号201680084352.7(51)Int.Cl.(22)申请日2016.04.21C23C14/34(2006.01)C23C14/35(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01J37/34(2006.01)2018.09.29(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2016/0588962016.04.21(87)PCT国际申请的公布数据WO2017/182081EN2017.10.26(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人朴炫灿任东吉格奥尔·曼克托马斯·格比利(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国赵静权利要求书2页说明书12页附图7页(54)发明名称用于涂布基板的方法及涂布机(57)摘要提供一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法,至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20),三个或更多个可旋转靶(20)各包括位于其中的磁体组件(25)。所述方法包括:旋转磁体组件(25)至相对于平面(22)的多个不同的角位置,平面(22)从基板(100)垂直地延伸至三个或更多个可旋转靶(20)的相应可旋转靶的轴(21);以及根据储存于数据库或存储器中的函数改变下述的至少一者:提供至三个或更多个可旋转靶(20)的功率、磁体组件(25)的停留时间、以及磁体组件(25)的持续地改变的角速度。CN108884556ACN108884556A权利要求书1/2页1.一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法,所述至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20),所述三个或更多个可旋转靶各包括位于其中的磁体组件(25),所述方法包括:-旋转所述磁体组件(25)至相对于平面(22)的多个不同的角位置,所述平面(22)从所述基板(100)垂直地延伸至所述三个或更多个可旋转靶(20)的相应可旋转靶的轴(21);以及-根据储存于数据库或存储器中的函数改变下述的至少一者:提供至所述三个或更多个可旋转靶(20)的功率、所述磁体组件(25)的停留时间、以及所述磁体组件(25)的持续地改变的角速度。2.如权利要求1所述的方法,其中提供至所述三个或更多个可旋转靶(20)的所述功率和下述的一者根据所述函数改变:所述磁体组件(25)的所述停留时间及所述磁体组件(25)的持续地改变的所述角速度。3.如前述权利要求的任一项所述的方法,进一步包括:-从所述数据库或所述存储器读取用于下述的至少一者的所述函数:提供至所述三个或更多个可旋转靶(20)的功率的变化、所述磁体组件(25)的所述停留时间的变化、以及所述磁体组件(25)的所述角速度的持续变化。4.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述函数包括多项式函数并且/或者其中所述函数包括三角函数。5.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述函数包括对称函数,6.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述函数包括非对称函数。7.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述函数决定在所述多个不同的角位置处溅射于所述基板(100)上的材料的量。8.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述函数用于在所述基板(100)上溅射均匀层。9.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述数据库包括查找表。10.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述函数是取决于所述角位置的函数。11.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述函数是取决于所述三个或更多个可旋转靶(20)的个别可旋转靶(20)的函数。12.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述磁体组件(25)以大于零的角速度旋转至所述多个不同的角位置。13.如前述权利要求的任一项所述的方法,其中所述函数包括用于改变所述停留时间的离散函数,特别地其中所述三个或更多个可旋转靶(20)根据所述离散函数以逐步方式旋转至所述多个不同的角位置。14.一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法,所述至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20),所述三个或更多个可旋转靶各包括位于其中的磁体组件(25),所述方法包括:-旋转所述磁体组件(25)至相对于平面(22)的多于四个不同的角位置,所述平面(22)从所述基板(100)垂直地延伸至所述三个或更多个可旋转靶(20)的相应可旋转靶的轴(21);以及2CN108884556A权利要求书2/2页-根据储存于数据库或存储器中的函数改变在所述多于四个不同的角位置的所述磁体组件(25)的停留时间。15.一种用于使用如权利要求1至14的任一项所述的方法涂布基板的