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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108885988A(43)申请公布日2018.11.23(21)申请号201780020430.1(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限(22)申请日2017.02.09公司11322代理人龙淳(30)优先权数据2016-0699772016.03.31JP(51)Int.Cl.H01L21/306(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2018.09.27(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2017/0046812017.02.09(87)PCT国际申请的公布数据WO2017/169155JA2017.10.05(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人佐藤秀明金振铉权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质(57)摘要本发明提供一种能够留下基片的凹部内的覆膜,精度良好地蚀刻凹部外的覆膜的基片液处理方法(基片液处理装置、存储介质)。在使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理的基片液处理方法中,其中,上述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部,上述基片液处理方法包括:第一覆膜除去步骤,其使上述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率,在第一处理时间中除去上述凹部外部的上述覆膜;和第二覆膜除去步骤,其使上述蚀刻液成为第二温度以使得成为比上述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率,在第二处理时间中留下上述凹部内部的上述覆膜并除去上述凹部外部的上述覆膜。CN108885988ACN108885988A权利要求书1/2页1.一种基片液处理方法,其使形成有覆膜的基片的表面与用于除去所述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理,其中,所述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部,所述基片液处理方法的特征在于,包括:第一覆膜除去步骤,使所述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率,在第一处理时间中除去所述凹部外部的所述覆膜;和第二覆膜除去步骤,使所述蚀刻液成为第二温度以使得成为比所述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率,在第二处理时间中留下所述凹部内部的所述覆膜并除去所述凹部外部的所述覆膜。2.如权利要求1所述的基片液处理方法,其特征在于:在所述第一覆膜除去步骤和所述第二覆膜除去步骤中被除去的所述覆膜的量中,在所述第一覆膜除去步骤中被除去的所述覆膜的量较多。3.如权利要求1或2所述的基片液处理方法,其特征在于:使所述第二温度在第二处理时间的经过期间连续或者阶梯地降低。4.如权利要求1~4中任一项所述的基片液处理方法,其特征在于:在所述第二覆膜除去步骤中,将所述凹部外部的覆膜全部除去。5.如权利要求1~5中任一项所述的基片液处理方法,其特征在于:检测对所述基片进行蚀刻处理中的大气压,根据检测到的大气压来修正所述蚀刻液的温度,以使得与在预先设定的大气压时被除去的所述覆膜的量相同。6.一种基片液处理装置,其使形成有覆膜的基片的表面与用于除去所述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理,其中,所述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部,所述基片液处理装置的特征在于,包括:蚀刻液供给部,其为了除去覆盖所述凹部外部的所述覆膜的一部分,而向所述基片的表面供给所述蚀刻液;和控制所述蚀刻液供给部的控制部,所述控制部,控制蚀刻液供给部,使从所述蚀刻液供给部向所述基片的表面供给的所述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率,在第一处理时间中除去所述凹部外部的所述覆膜,接着,控制蚀刻液供给部,使所述蚀刻液成为第二温度以使得成为比所述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率,在第二处理时间中留下所述凹部内部的所述覆膜并除去所述凹部外部的所述覆膜。7.如权利要求6所述的基片液处理装置,其特征在于:所述控制部进行控制,以使得在所述第一处理时间中被除去的所述覆膜的量多于在所述第二处理时间中被除去的所述覆膜的量。8.如权利要求6或7所述的基片液处理装置,其特征在于:所述控制部进行控制,以使得所述蚀刻液供给部的所述第二温度在第二处理时间的经过期间连续或者阶梯地变低。9.如权利要求6~8中任一项所述的基片液处理装置,其特征在于:所述控制部进行控制,以使得在所述第二处理时间中留下所述凹部内部的所述覆膜并将所述凹部外部的覆膜全部除去。2CN108885988A权利要求书2/2页10.如权利要求6~8中任一项所述的基片液处理装置,其特征在于:所述控制部能够获取并检测来自所述处理液的温度检测部和大气压检测部的信号,根据检测到的大气压对从所述蚀刻液供给部供给的所述蚀刻液的温度进行修正,以使得与在获取并检测到的大气压为预先设定的大气压(设定大气压)时被除去的所述覆膜的量相同。11.一种存储有程序的存储介质,其特征在于:所述程序在由用于